Missing model statement microcap ошибка

Author Topic: Problem importing models into Micro-Cap  (Read 5343 times)
0 Members and 1 Guest are viewing this topic.
LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 341

Thank You
-Given: 362
-Receive: 540


For most things related to simulation I find Proteus more than adequate.
However, from time to time a need arises to simulate more complex parts and to use PSpice models
and Micro-Cap is suitable for that.

So far, I haven’t had any problems importing manufacturers models into MC.

However, this time around I’m stuck with two models that make MC throw error when trying to use them.
While I do now some basics of Spice modelling, I find MC manuals lacking depth regarding peculiarity of supported syntax.
Of course, I tried searching the net for some useful info that doesn’t require steep learning curve but with no luck.

My guess is that the problems are related to some aspect of Spice/PSpice syntax so perhaps someone
more proficient in Spice/PSpice syntax may suggest some solution or point me into correct direction.   

1. The first model is small NE-2 gas discharge bulb.
While Proteus have a good enough model of it, of course the source is closed so no luck peeking into it.

I have found surprisingly small number of articles on topic of NE-2 simulation but one particular model is more or less
always circulating around and it seems good enough for my needs.

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
* Small Neon Lamp Behavioral Model Copyright 2003 by [email protected]
* Vs: strike voltage (bi-directional)
* Ii: threshold current boundary between strike and hold voltage
* Ti: ionization time constant of gas
* Vh: hold (regulation) voltage within normal current range
* Rh: on resistance within normal current range
* Ia: transition current to the increasing resistance of abnormal glow
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
******************************************************************
.SUBCKT NE-2H A1 A2 PARAMS: Vs=130 Ii=50u Ti=1m Vh=80 Rh=1k Ia=4m
Varc A1 arc 0 ; current sense
Garc arc A2 VALUE = {sgn(V(arc,A2))*LIMIT((abs(V(arc,A2))-V(ref))/(Rh*V(abn)),0,1)}
Carc arc A2  5p ; stray terminal capacitance
Gref 0  ref  VALUE = {Vh+(Vs-Vh)/(1+V(ion)**2)} ;
Rpar=1 ; voltage transition
Rparref 0  ref  1;
Cref ref  0  1n ; tiny capacitance here aids convergence
Gion 0  ion  VALUE = {abs(I(Varc))} ;
Rpar={1/Ii} ; measure of free ions
Rpar 0  ion  {1/Ii}
Cion ion  0  {Ti*Ii} ; gas ionization time constant
Gabn 0  abn  VALUE = {Ia**2}+I(Varc)**2 ;
Rpar={1/Ia**2} ; abnormal glow
Rparabn 0 abn {1/Ia**2}
Cabn abn  0  1p ; tiny capacitance here aids convergence
.ENDS NE-2H

It looks like PSpice syntax and MC should be able to run it but when the sim starts I get following errors:

Warning: Part names have been changed.
RPAR1=1 changed to RPAR_1

following with

Error: Missing Nodes.
Part: X13.RPAR_1
File: C:TEST.CIR
.Subckt: X13 calls NE-2H

To me it seems as if MC doesn’t like assigning value to a Rpar for some reason but at this point I’m at loss on how to proceed further.

2. The second model are ordinary cheap MOSFET driver TC4429 which is successfully modelled in Proteus but not in MC.
Microchip offers PSpice models but they also make MC throw an error.

.SUBCKT TC4429 1 2 3 4
*                    | | | |
*                    | | | Negative Supply
*                    | | Positive Supply
*                    | Output
*                    Input
*
********************************************************************************
* Software License Agreement                                                   *
*                                                                              *
* The software supplied herewith by Microchip Technology Incorporated (the     *
* ‘Company’) is intended and supplied to you, the Company’s customer, for use  *
* solely and exclusively on Microchip products.                                 *
*                                                                              *
* The software is owned by the Company and/or its supplier, and is protected   *
* under applicable copyright laws. All rights are reserved. Any use in         *
* violation of the foregoing restrictions may subject the user to criminal     *
* sanctions under applicable laws, as well as to civil liability for the       *
* breach of the terms and conditions of this license.                          *
*                                                                              *
* THIS SOFTWARE IS PROVIDED IN AN ‘AS IS’ CONDITION. NO WARRANTIES, WHETHER    *
* EXPRESS, IMPLIED OR STATUTORY, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, IMPLIED        *
* WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE APPLY TO  *
* THIS SOFTWARE. THE COMPANY SHALL NOT, IN ANY CIRCUMSTANCES, BE LIABLE FOR    *
* SPECIAL, INCIDENTAL OR CONSEQUENTIAL DAMAGES, FOR ANY REASON WHATSOEVER.     *
********************************************************************************
*
* The following MOSFET drivers are covered by this model:
*      Rev A Testing — TC4429
*
* Polarity: Inverting
*
* Date of model creation: 1/26/2007
* Level of Model Creator: A
*
* Revision History:
*      12/24/07 HNV Created by edit of TC4423_I2D_A
*       2/28/08 HNV Updated quiescent current, adjust speed
*
* Recommendations:
*      Use PSPICE (or SPICE 2G6; other simulators may require translation)
*      For a quick, effective design, use a combination of: data sheet
*            specs, bench testing, and simulations with this macromodel
*      For high impedance circuits, set GMIN=100F in the .OPTIONS statement
*
* Supported:
*      Typical performance for temperature range (-40 to 125) degrees Celsius
*      DC, AC, Transient, and Noise analyses.
*      Most specs, including: propgation delays, rise times, fall times, max sink/source current,
*            input thresholds, voltage ranges, supply current, … , etc.
*      Temperature effects for Ibias, Iquiescent, output current, output
*            resistance,….,etc.
*
* Not Supported:
*      Some Variation in specs vs. Power Supply Voltage
*      Vos distribution, Ib distribution for Monte Carlo
*      Some Temperature analysis
*      Process variation
*      Behavior outside normal operating region
*
* Known Discrepancies in Model vs. Datasheet:
*
* Input Impedance/Clamp
R1  4    1    2MEG
C1  4    1    38P
G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } ((-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } ((-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N))
* Threshold
G11 0    30    TABLE {V(1,11)}((-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3))
G12 0    30    TABLE {V(1,12)}((-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n))
R21 0 11 1 TC .3m 1.4u 
G21 0 11 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.34)(5,1.43)(6,1.5)(7,1.5)(10,1.48)(12,1.48)(18,1.5))
R22 0 12  1 TC .1m -0.8U
G22 0 12 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.16)(6,1.24)(7,1.24)(9,1.23)(11,1.23)(18,1.25))
C30 30   0    1n 
* HL Circuit
G31 0    31   TABLE { V(3, 4) } ((0,75)(5,43)(5.5,39.5)(6,37)(7,34)(8,32)(12,29.2)(17,29.8)(18,28.6))
R31 31   0    1 TC 3.2M 
G33 0    30   TABLE { V(31, 30) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
S31 31   30 31 30 SS31
* LH Circuit
G32 32   0    TABLE { V(3, 4) } ((0,31)(5,19)(6,18)(8.5,15)(11.5,14.4)(17,15.5)(18,15.4))
R32 0    32   1 TC 2.9M 10U
G34 30   0    TABLE { V(30, 32) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
R30 32   30   1MEG 
* DRIVE
G51  0 50 TABLE {V(30, 0)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(5,6.8)(15,3.3)(30,4.5))
G52 50  0 TABLE {V(0, 30)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(4,6)(13,3.2)(15,3.0)(22,2.7))
R53  0 50 1 TC -4m 12u
G50 51 60 VALUE {V(50,0)*0.8/(-0.2+18/V(3,4))+1m}
R51 51  0 1
G53  3  0 TABLE {V(51,0)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
G54  0  4 TABLE {V(0,51)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
R60 0    60   100MEG 
H67 0    69   V67 1
V67 60   59   0V
C59 0    59   1.5N
C60 561    60   2N
R59 59   2   0.5
L59 59   2   5N
* Shoot-through adjustment
VC60        56 0 0V
RC60        56 561 1m
H60         58 0 VC60 56
G60P 0 3 TABLE { V(58, 0) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
G60N 4 0 TABLE { V(0, 58) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
* Source Output
E67 67   0    TABLE {V(69, 0)}((-10,-10)(0,0)(10,50))
G63 0   63   POLY(1) 3 4 6 -280M 3M
R63 0    63   1 TC 3.3M,-2U
E61 61   65   VALUE {V(67,0)*V(63,0)}
V63 65   3    10.0M
G61 61   60   TABLE {V(61,60)}((-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(50,10N))
* Sink Output
E68 68   0    TABLE {V(69,0)}((-50,-10)(0,0)(10,10))
G64 0   64   POLY(1) 3 4 3.45 -180M 2.7M
R64 0    64   1 TC 3.3M 6U
E62 62   66   VALUE {V(68,0)*V(64,0)}
V64 66   4    10.0M
G62 60   62   TABLE {V(60,62)}(-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(10,10N))
* Bias Current
G55 0    55   TABLE {V(3,4)}((0,0)(4,296U)(6,338U)(13,410U)(17,500U)(20,750U))
G56 3    4    55 0 1
R55 55   0    1 TC  5.7M 19U
G57 0    57   TABLE {V(3,4)}((0,0)(4.4,48U)(6,54U)(7,64U)(13,68U)(16,70U)(20,78U))
G58 3    4    57 0 1
R57 57   0    1 TC  4.6M 49U
S59 55   0    1 0 SS59
* Models
.MODEL SS59 VSWITCH Roff=100MEG Ron=1m Voff=1.5V Von=1.2V
.MODEL SS31 VSWITCH Roff=100MEG Ron=800 Voff=0.2V Von=0.1V
.ENDS TC4429

However, resistors TC syntax seems to be bothersome for MC.

Error: Missing model statement ‘TC’.
Part: X12.R21
File: C:TEST2.CIR
.Subckt: X12 calls TC4429

I have tried putting TC values into square brackets as suggested in MC manual but with no luck.
There is something I’m missing but I’m not really sure what exactly.

Of course, the simplest solution would be to try models in PSpice but for some reason I have problem running it on the laptop
so for the moment I can use only MC.

Regrettably there seem to be limited resources on the net pertaining to peculiarities of MC so perhaps some of you have have some useful ideas.  Roll Eyes


Logged
optikon

Cracking Team
Hero Member
****
Offline Offline

Posts: 837

Thank You
-Given: 1077
-Receive: 1967


Have you narrowed down which particular lines are causing trouble?

When you remove certain lines or commands, the model wont run but does it eliminate the errors?

Once the errors are eliminated, we can re-write the problematic line using MC friendly syntax.

« Last Edit: May 21, 2017, 02:03:26 14:03 by optikon »
Logged

I can explain this to you. I can’t comprehend it for you.

LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 341

Thank You
-Given: 362
-Receive: 540


Thx for the reply.

1. Sure, I’ve narrowed it down to two «Rpar=1;» and «Rpar={1/Ia**2};» statements in the NE-2H model.
I commented those two statements and the model appeared to be simulating but with the wrong results.

What caught my eye is that B sources are not mentioned in the MC manual.
As it turns out B sources are common to LTspice and indeed there is a parameter «Rpar».
Take a look at LTwiki  http://ltwiki.org/index.php5?title=B_sources_(complete_reference)

For the current source, a parallel resistance may be specified with the Rpar instance parameter.

I found that capacitor models in LTspice also have «Rpar» parameter which defines parallel resistance.
So, I added parallel resistance between two same nodes and the model now seems to be working fine.

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
* Small Neon Lamp Behavioral Model Copyright 2003 by [email protected]
* Vs: strike voltage (bi-directional)
* Ii: threshold current boundary between strike and hold voltage
* Ti: ionization time constant of gas
* Vh: hold (regulation) voltage within normal current range
* Rh: on resistance within normal current range
* Ia: transition current to the increasing resistance of abnormal glow
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
******************************************************************

.SUBCKT NE-2H A1 A2 PARAMS: Vs=130 Ii=50u Ti=1m Vh=80 Rh=1k Ia=4m
Varc A1 arc 0 ; current sense
Barc arc A2 I= sgn(V(arc,A2))*uramp(abs(V(arc,A2))-V(ref))/(Rh*V(abn))
Carc arc A2 5p ; stray terminal capacitance
*Bref 0  ref  VALUE = {Vh+(Vs-Vh)/(1+V(ion)**2)} Rpar=1 ; voltage transition
Bref 0 ref I= Vh+{Vs-Vh}/(1+V(ion)**2) ; voltage transition
Rref 0 ref 1;
Cref ref 0 1n ; tiny capacitance here aids convergence
*Bion 0  ion  VALUE = {abs(I(Varc))} Rpar={1/Ii} ; measure of free ions
Bion 0 ion I= abs(I(Varc))  ; measure of free ions
Rion 0 ion {1/Ii};
Cion ion 0 {Ti*Ii} ; gas ionization time constant
*Babn 0  abn  VALUE = {Ia**2}+I(Varc)**2 Rpar={1/Ia**2} ; abnormal glow
Babn 0 abn I= {Ia**2}+I(Varc)**2 ; abnormal glow
Rabn 0 abn {1/Ia**2};  
Cabn abn 0 1p ; tiny capacitance here aids convergence
.ENDS NE-2H

What perplexes me is that it seems that MC accepts LTspice’s B source «I» parameter but not «Rpar» and what
is even more curious is that I don’t see B source mentioned in the MC reference guide.  Lips sealed

 So, the first problem is solved.  Smiley

« Last Edit: May 22, 2017, 09:59:12 09:59 by LithiumOverdosE »
Logged
optikon

Cracking Team
Hero Member
****
Offline Offline

Posts: 837

Thank You
-Given: 1077
-Receive: 1967


In MC, NFV or NFI seem to be the behavioral voltage and current sources. I am unsure which one follows the SPICE syntax more closely but yeah, clearly a difference.


Logged

I can explain this to you. I can’t comprehend it for you.

LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 341

Thank You
-Given: 362
-Receive: 540


Indeed, but why is B source partially accepted by MC but not documented?

2. Back to TC4429 model problem.

First of all it seems that TC temperature parameter of few resistors is not in the form acceptable to MC.
As it turns out MC requires different syntax that includes equal sign and comma.

Example:

*R21 0 11 1 TC .3m 1.4u  
R21 0 11 1 TC= .3m, 1.4u

Considering that MCHP explicitly says those are PSpice models I start to wonder to which extent MC is truly PSpice compatible. Lips sealed

So, that solved the problem with the resistors TC parameters.

Then MC threw error regarding extra parenthesis in the G source tables.
Well, it seems that MCHP have two missing parentheses in their model.  Sad

That was quickly fixed and the model is suppose to be running.

Here is the corrected model:

*                                                                              *
* THIS SOFTWARE IS PROVIDED IN AN ‘AS IS’ CONDITION. NO WARRANTIES, WHETHER    *
* EXPRESS, IMPLIED OR STATUTORY, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, IMPLIED        *
* WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE APPLY TO  *
* THIS SOFTWARE. THE COMPANY SHALL NOT, IN ANY CIRCUMSTANCES, BE LIABLE FOR    *
* SPECIAL, INCIDENTAL OR CONSEQUENTIAL DAMAGES, FOR ANY REASON WHATSOEVER.     *
********************************************************************************
*
* The following MOSFET drivers are covered by this model:
*      Rev A Testing — TC4429
*
* Polarity: Inverting
*
* Date of model creation: 1/26/2007
* Level of Model Creator: A
*
* Revision History:
*      12/24/07 HNV Created by edit of TC4423_I2D_A
*       2/28/08 HNV Updated quiescent current, adjust speed
*
* Recommendations:
*      Use PSPICE (or SPICE 2G6; other simulators may require translation)
*      For a quick, effective design, use a combination of: data sheet
*            specs, bench testing, and simulations with this macromodel
*      For high impedance circuits, set GMIN=100F in the .OPTIONS statement
*
* Supported:
*      Typical performance for temperature range (-40 to 125) degrees Celsius
*      DC, AC, Transient, and Noise analyses.
*      Most specs, including: propgation delays, rise times, fall times, max sink/source current,
*            input thresholds, voltage ranges, supply current, … , etc.
*      Temperature effects for Ibias, Iquiescent, output current, output
*            resistance,….,etc.
*
* Not Supported:
*      Some Variation in specs vs. Power Supply Voltage
*      Vos distribution, Ib distribution for Monte Carlo
*      Some Temperature analysis
*      Process variation
*      Behavior outside normal operating region
*
* Known Discrepancies in Model vs. Datasheet:
*
* Input Impedance/Clamp
R1  4    1    2MEG
C1  4    1    38P
G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } ((-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } ((-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N))
* Threshold
G11 0    30    TABLE {V(1,11)}((-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3))
G12 0    30    TABLE {V(1,12)}((-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n))
*R21 0 11 1 TC .3m 1.4u  
R21 0 11 1 TC= .3m, 1.4u
G21 0 11 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.34)(5,1.43)(6,1.5)(7,1.5)(10,1.48)(12,1.48)(18,1.5))
*R22 0 12  1 TC .1m -0.8U
R22 0 12  1 TC= .1m, -0.8U
G22 0 12 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.16)(6,1.24)(7,1.24)(9,1.23)(11,1.23)(18,1.25))
C30 30   0    1n  
* HL Circuit
G31 0    31   TABLE { V(3, 4) } ((0,75)(5,43)(5.5,39.5)(6,37)(7,34)(8,32)(12,29.2)(17,29.8)(18,28.6))
*R31 31   0    1 TC 3.2M  
R31 31   0    1 TC= 3.2M
G33 0    30   TABLE { V(31, 30) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
S31 31   30 31 30 SS31
* LH Circuit
G32 32   0    TABLE { V(3, 4) } ((0,31)(5,19)(6,18)(8.5,15)(11.5,14.4)(17,15.5)(18,15.4))
*R32 0    32   1 TC 2.9M 10U
R32 0    32   1 TC= 2.9M, 10U
G34 30   0    TABLE { V(30, 32) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
R30 32   30   1MEG  
* DRIVE
G51  0 50 TABLE {V(30, 0)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(5,6.8)(15,3.3)(30,4.5))
G52 50  0 TABLE {V(0, 30)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(4,6)(13,3.2)(15,3.0)(22,2.7))
*R53  0 50 1 TC -4m 12u
R53  0 50 1 TC= -4m, 12u
G50 51 60 VALUE {V(50,0)*0.8/(-0.2+18/V(3,4))+1m}
R51 51  0 1
G53  3  0 TABLE {V(51,0)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
G54  0  4 TABLE {V(0,51)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
R60 0    60   100MEG  
H67 0    69   V67 1
V67 60   59   0V
C59 0    59   1.5N
C60 561    60   2N
R59 59   2   0.5
L59 59   2   5N
* Shoot-through adjustment
VC60        56 0 0V
RC60        56 561 1m
H60         58 0 VC60 56
G60P 0 3 TABLE { V(58, 0) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
G60N 4 0 TABLE { V(0, 58) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
* Source Output
E67 67   0    TABLE {V(69, 0)}((-10,-10)(0,0)(10,50))
G63 0   63   POLY(1) 3 4 6 -280M 3M
*R63 0    63   1 TC 3.3M -2U
R63 0    63   1 TC= 3.3M,-2U
E61 61   65   VALUE {V(67,0)*V(63,0)}
V63 65   3    10.0M
G61 61   60   TABLE {V(61,60)}((-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(50,10N))
* Sink Output
E68 68   0    TABLE {V(69,0)}((-50,-10)(0,0)(10,10))
G64 0   64   POLY(1) 3 4 3.45 -180M 2.7M
*R64 0    64   1 TC 3.3M 6U
R64 0    64   1 TC= 3.3M, 6U
E62 62   66   VALUE {V(68,0)*V(64,0)}
V64 66   4    10.0M
G62 60   62   TABLE {V(60,62)} ((-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(10,10N))
* Bias Current
G55 0    55   TABLE {V(3,4)} ((0,0)(4,296U)(6,338U)(13,410U)(17,500U)(20,750U))
G56 3    4    55 0 1
*R55 55   0    1 TC  5.7M 19U
R55 55   0    1 TC=  5.7M, 19U
G57 0    57   TABLE {V(3,4)} ((0,0)(4.4,48U)(6,54U)(7,64U)(13,68U)(16,70U)(20,78U))
G58 3    4    57 0 1
*R57 57   0    1 TC  4.6M 49U
R57 57   0    1 TC=  4.6M, 49U
S59 55   0    1 0 SS59
* Models
.MODEL SS59 VSWITCH Roff=100MEG Ron=1m Voff=1.5V Von=1.2V
.MODEL SS31 VSWITCH Roff=100MEG Ron=800 Voff=0.2V Von=0.1V
.ENDS TC4429

However, although MC doesn’t report any errors regarding the model, now I get singular matrix error. Huh

« Last Edit: May 22, 2017, 09:31:55 21:31 by LithiumOverdosE »
Logged
LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 341

Thank You
-Given: 362
-Receive: 540


I have just noticed that the MC syntax for TABLE is differs from PSpice as well.

So, the corrected model is here:

.SUBCKT TC4429 1 2 3 4
*                    | | | |
*                    | | | Negative Supply
*                    | | Positive Supply
*                    | Output
*                    Input
*
********************************************************************************
* Software License Agreement                                                   *
*                                                                              *
* The software supplied herewith by Microchip Technology Incorporated (the     *
* ‘Company’) is intended and supplied to you, the Company’s customer, for use  *
* soley and exclusively on Microchip products.                                 *
*                                                                              *
* The software is owned by the Company and/or its supplier, and is protected   *
* under applicable copyright laws. All rights are reserved. Any use in         *
* violation of the foregoing restrictions may subject the user to criminal     *
* sanctions under applicable laws, as well as to civil liability for the       *
* breach of the terms and conditions of this license.                          *
*                                                                              *
* THIS SOFTWARE IS PROVIDED IN AN ‘AS IS’ CONDITION. NO WARRANTIES, WHETHER    *
* EXPRESS, IMPLIED OR STATUTORY, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, IMPLIED        *
* WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE APPLY TO  *
* THIS SOFTWARE. THE COMPANY SHALL NOT, IN ANY CIRCUMSTANCES, BE LIABLE FOR    *
* SPECIAL, INCIDENTAL OR CONSEQUENTIAL DAMAGES, FOR ANY REASON WHATSOEVER.     *
********************************************************************************
*
* The following MOSFET drivers are covered by this model:
*      Rev A Testing — TC4429
*
* Polarity: Inverting
*
* Date of model creation: 1/26/2007
* Level of Model Creator: A
*
* Revision History:
*      12/24/07 HNV Created by edit of TC4423_I2D_A
*       2/28/08 HNV Updated quiescent current, adjust speed
*
* Recommendations:
*      Use PSPICE (or SPICE 2G6; other simulators may require translation)
*      For a quick, effective design, use a combination of: data sheet
*            specs, bench testing, and simulations with this macromodel
*      For high impedance circuits, set GMIN=100F in the .OPTIONS statement
*
* Supported:
*      Typical performance for temperature range (-40 to 125) degrees Celsius
*      DC, AC, Transient, and Noise analyses.
*      Most specs, including: propgation delays, rise times, fall times, max sink/source current,
*            input thresholds, voltage ranges, supply current, … , etc.
*      Temperature effects for Ibias, Iquiescent, output current, output
*            resistance,….,etc.
*
* Not Supported:
*      Some Variation in specs vs. Power Supply Voltage
*      Vos distribution, Ib distribution for Monte Carlo
*      Some Temperature analysis
*      Process variation
*      Behavior outside normal operating region
*
* Known Discrepancies in Model vs. Datasheet:
*
* Input Impedance/Clamp
R1  4    1    2MEG
C1  4    1    38P
*G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } ((-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } = (-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N)
*G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } ((-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } = (-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N)
* Threshold
*G11 0    30    TABLE {V(1,11)}((-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3))
G11 0    30    TABLE {V(1,11)} = (-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3)
*G12 0    30    TABLE {V(1,12)}((-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n))
G12 0    30    TABLE {V(1,12)}= (-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n)
*R21 0 11 1 TC .3m 1.4u 
R21 0 11 1 TC= .3m, 1.4u
G21 0 11 TABLE { V(3, 4) } = (0,0)(4,1.34)(5,1.43)(6,1.5)(7,1.5)(10,1.48)(12,1.48)(18,1.5)
*R22 0 12  1 TC .1m -0.8U
R22 0 12  1 TC= .1m, -0.8U
G22 0 12 TABLE { V(3, 4) } = (0,0)(4,1.16)(6,1.24)(7,1.24)(9,1.23)(11,1.23)(18,1.25)
C30 30   0    1n 
* HL Circuit
G31 0    31   TABLE { V(3, 4) } = (0,75)(5,43)(5.5,39.5)(6,37)(7,34)(8,32)(12,29.2)(17,29.8)(18,28.6)
*R31 31   0    1 TC 3.2M 
R31 31   0    1 TC= 3.2M
G33 0    30   TABLE { V(31, 30) } = (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n)
S31 31   30 31 30 SS31
* LH Circuit
G32 32   0    TABLE { V(3, 4) } = (0,31)(5,19)(6,18)(8.5,15)(11.5,14.4)(17,15.5)(18,15.4)
*R32 0    32   1 TC 2.9M 10U
R32 0    32   1 TC= 2.9M, 10U
G34 30   0    TABLE { V(30, 32) } = (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n)
R30 32   30   1MEG 
* DRIVE
G51  0 50 TABLE {V(30, 0)} = (-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(5,6.8)(15,3.3)(30,4.5)
G52 50  0 TABLE {V(0, 30)} = (-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(4,6)(13,3.2)(15,3.0)(22,2.7)
*R53  0 50 1 TC -4m 12u
R53  0 50 1 TC= -4m, 12u
G50 51 60 VALUE {V(50,0)*0.8/(-0.2+18/V(3,4))+1m}
R51 51  0 1
G53  3  0 TABLE {V(51,0)} = (-10,10)(0,0)(1,1n)
G54  0  4 TABLE {V(0,51)} = (-10,10)(0,0)(1,1n)
R60 0    60   100MEG 
H67 0    69   V67 1
V67 60   59   0V
C59 0    59   1.5N
C60 561    60   2N
R59 59   2   0.5
L59 59   2   5N
* Shoot-through adjustment
VC60        56 0 0V
RC60        56 561 1m
H60         58 0 VC60 56
G60P 0 3 TABLE { V(58, 0) } = (-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3)
G60N 4 0 TABLE { V(0, 58) } = (-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3)
* Source Output
E67 67   0    TABLE {V(69, 0)} = (-10,-10)(0,0)(10,50)
G63 0   63   POLY(1) 3 4 6 -280M 3M
*R63 0    63   1 TC 3.3M -2U
R63 0    63   1 TC= 3.3M,-2U
E61 61   65   VALUE {V(67,0)*V(63,0)}
V63 65   3    10.0M
G61 61   60   TABLE {V(61,60)} = (-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(50,10N)
* Sink Output
E68 68   0    TABLE {V(69,0)} = (-50,-10)(0,0)(10,10)
G64 0   64   POLY(1) 3 4 3.45 -180M 2.7M
*R64 0    64   1 TC 3.3M 6U
R64 0    64   1 TC= 3.3M, 6U
E62 62   66   VALUE {V(68,0)*V(64,0)}
V64 66   4    10.0M
G62 60   62   TABLE {V(60,62)} = (-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(10,10N)
* Bias Current
G55 0    55   TABLE {V(3,4)} = (0,0)(4,296U)(6,338U)(13,410U)(17,500U)(20,750U)
G56 3    4    55 0 1
*R55 55   0    1 TC  5.7M 19U
R55 55   0    1 TC=  5.7M, 19U
G57 0    57   TABLE {V(3,4)} = (0,0)(4.4,48U)(6,54U)(7,64U)(13,68U)(16,70U)(20,78U)
G58 3    4    57 0 1
*R57 57   0    1 TC  4.6M 49U
R57 57   0    1 TC=  4.6M, 49U
S59 55   0    1 0 SS59
* Models
.MODEL SS59 VSWITCH Roff=100MEG Ron=1m Voff=1.5V Von=1.2V
.MODEL SS31 VSWITCH Roff=100MEG Ron=800 Voff=0.2V Von=0.1V
.ENDS TC4429

However «Matrix is singular» error persists.
I’ve raised relevant Spice parameters to the maximal reasonable level and the problem is still present.  Undecided


Logged
optikon

Cracking Team
Hero Member
****
Offline Offline

Posts: 837

Thank You
-Given: 1077
-Receive: 1967


Ive seen singular matrix errors before with Tables in G sources.. can you try commenting some of them out?

BTW, what characteristics are important for your driver model? The model seems rather complex (perhaps necessarily so)

Ive found that the tricky / important stuff for MOSFET drivers tends to not match very well in real world.. but YMMV of course.


Logged

I can explain this to you. I can’t comprehend it for you.

LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 341

Thank You
-Given: 362
-Receive: 540


Actually, I have just removed the model from the test schematic, saved schematic and then added model back.
Now simulation works.  Undecided

Strange occurrences indeed.   Huh


Logged
2N5109

Junior Member
**
Offline Offline

Posts: 67

Thank You
-Given: 26
-Receive: 14


For what its worth here is LTSPICE’s NE-2 model:  

 .subckt neonbulb 1 2
S1 1 2 2 N001 G
S2 2 1 N001 2 G
R1 1 N001 100Meg
C1 N001 2 {Tau/100Meg}
.model G SW(Ron={Zon} Roff=1T Vt={.5*(Vstrike+Vhold)} Vh={.5*(Vstrike-Vhold)} Vser={Vhold-Ihold*Zon})
.param Vstrike=100 Vhold=50 Zon=2K Ihold=200u Tau=100u
.ends neonbulb

To run this you probably need this info from LTSPICE help file:  

S    Voltage Controlled Switch
Symbol Names: SW

Syntax: Sxxx n1 n2 nc+ nc- <model> [on,off]

Example:

S1 out 0 in 0 MySwitch
.model MySwitch SW(Ron=.1 Roff=1Meg Vt=0 Vh=-.5 Lser=10n Vser=.6)

The voltage between nodes nc+ and nc- controls the switch’s impedance between nodes n1 and n2. A model card is required to define the behavior of the switch.  

Voltage Controlled Switch Model Parameters:

Name   Description               Units  Default
Vt       Threshold voltage       V      0.
Vh       Hysteresis voltage      V      0.
Ron     On resistance             Ω     1.
Roff     Off resistance            Ω     1/Gmin
Lser     Series inductance       H      0.
Vser    Series voltage            V      0.
Ilimit    Current limit              A       Infin.

—2N5109

« Last Edit: June 26, 2017, 01:52:31 01:52 by 2N5109 »
Logged

150

умолчанию полагается d = 0;

DIFD(u,v[,d]) – cравнение значений двух логических u и v во всех дискретных точках при расчете переходных процессов. DIFA присваивается значение 1, если во всех точках значения функций отличаются друг от друга, в противном случае присваивается 0. В течение первых d секунд после начала расчета переходных процессов сравнение не проводится. Параметр d необязательный, по умолчанию полагается d = 0.

151

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 — НЕКОТОРЫЕ ШАБЛОНЫ ЦЕЛЕВЫХ ФУНКЦИЙ, ВСТРОЕННЫЕ В ПРОГРАММУ MICROCAP

High_X – нахождение абсциссы наибольшего значения графика функ-

ции;

High_Y – нахождение ординаты наибольшего значения графика функ-

ции;

Low_X – нахождение абсциссы наименьшего значения графика функ-

ции;

Low_Y – нахождение ординаты наименьшего значения графика функ-

ции;

Peak_X – нахождение абсциссы графика функции, которое соответствует N-ому локальному максимуму функции;

Peak_Y – нахождение ординаты графика функции, которое соответствует N-ому локальному максимуму функции;

Period – нахождение N-ого периода выражения Y. Период вычисляется как разность абсцисс последовательности точек, проходящих через среднее значение Y;

Valley_X – нахождение абсциссы графика функции, которое соответствует N-ому локальному минимуму функции;

Valley_Y – нахождение ординаты графика функции, которое соответствует N-ому локальному минимуму функции;

X_ Range – нахождение диапазона (размаха) по оси абсцисс значений аргумента при изменении значений функции от Y_Low до Y_High;

Y_Range – нахождение диапазона (размаха) по оси ординат значений функции на промежутке от X_Low до X_High.

152

ПРИЛОЖЕНИЕ 3 – ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ ОТЧЕТА ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

КАФЕДРА КОНСТРУИРОВАНИЯ И ПРОИЗВОДСТВА РАДИОАППАРАТУРЫ (КИПР)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №10

«ИССЛЕДОВАНИЕ ДИФФУЗИОННОЙ ЕМКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА»

по дисциплине «Общая электротехника и электроника — 2»

Выполнил студент группы 230-1

__________ А.В.Умников 26 апреля 2012 г.

Проверил доцент каф. КИПР

__________ Д.В.Озёркин « »________ 2012 г.

Томск, 2012

153

Цели работы

1.Исследование зависимости диффузионной емкости полупроводниковых диодов от внешнего напряжения.

2.Приобретение навыков моделирования электронных схем во временной области.

3.Составление символических выражений для определения дифференциальных характеристик в MicroCAP.

Лабораторное задание №1.

Условие. Требуется исследовать зависимость диффузионной емкости полупроводникового диода КД105Б от изменяющегося во времени прямого напряжения. Переменный сигнал представляет собой положительное пилообразное напряжение амплитудой 1В и постоянной составляющей 0В. Длительность переднего и заднего фронтов равны по 0.5 с; период повторения импульсов – 1 с.

Выполнение. Для использования математической модели полупроводникового диода КД105Б был подключен файл my_diode.lib.

Полупроводниковый диод КД105Б включен в прямом направлении последовательно с токоограничивающим резистором R и источником импульсного напряжения E (рисунок 1).

Рисунок 1 – Схема включения полупроводникового диода для измерения диффузионной емкости

Задание характеристик импульсного сигнала проведено в интерактивном режиме. Согласно исходным данным параметры импульсного источника равны: V1 = 0; V2 = 1; TD = 0; TR = 0.5; TF = 0.5; PW = 0; PER = 1. Форма входного сигнала – пилообразное напряжение – соответствует введенным данным (рисунок 2).

Рисунок 2 – Входной сигнал

154

Перед выполнением анализа во временной области были заданы следующие параметры моделирования:

временной диапазон – 1 с;

временной шаг – 0.01 с.

Выражение для диффузионной емкости диода C dQ запишем как dU

DEL(Q(VD))/DEL(V(2)), где Q(VD) – заряд на диоде VD; V(2) – потенциал контрольной точки 2 или напряжение на диоде; DEL – встроенная дифференциальная функция MicroCAP.

Таблица параметров для построения графиков выглядит следующим образом:

P

X Expression

Y Expression

1

V(1)

DEL(Q(VD))/DEL(V(2))

2

TIME

DEL(Q(VD))/DEL(V(2))

3

TIME

I(VD)

4

TIME

V(2)

4

TIME

V(1)

Результаты исследования диффузионной емкости полупроводникового диода представлены на рисунке 3.

а) – зависимость диффузионной емкости от входного напряжения; б) – временная зависимость диффузионной емкости; в) – временная зависимость тока через диод; г) – временные зависимости входного напряжения (1) и напряжения на диоде (2)

Рисунок 3 – Результаты исследования диффузионной емкости

155

На первом графике можно наблюдать петлю гистерезиса, которая характеризует сначала накопление неравновесного заряда в p— и n-областях, а затем процесс рекомбинации, зависящий от времени жизни неравновесных носителей заряда.

На втором графике представлена временная зависимость изменения диффузионной емкости диода. В режиме электронного курсора измеренное максимальное значение диффузионной емкости СДИФ составило около 14 нФ.

На третьем и четвертом графиках представлены, соответственно, временные зависимости тока и напряжения на диоде (вместе со входным сигналом). При этом максимальное значение тока составляет 42 мА; максимальное значение напряжения на диоде 0.58 В.

Для случая, когда длительность импульса входного сигнала намного превышает время диффузии носителей заряда сквозь базу, диффузионная емкость определяется как:

C ДИФ

q

I ,

kT

где q – заряд электрона; k – постоянная Больцмана; T – температура в градусах Цельсия; I – значение прямого тока через диод; — время жизни носителей заряда в базе диода.

Определим время жизни носителей заряда, учитывая, что в данном случае максимальные значения диффузионной емкости и тока равны СДИФ = 14 нФ и I = 42 мА, соответственно:

С

ДИФ

kT 14 10 9 1.38 10

23 27

7.8 10

10 c 0.78нс .

qI

1.6 10 19

42 10 3

Выводы по лабораторному заданию №1. Анализируя совместно все четыре полученные зависимости можно сделать следующий вывод. В области малых прямых напряжениях (менее 0.5 В), когда диод «закрыт», изменение прямого напряжения не приводит к образованию диффузионной емкости. В этой области напряжений процессы рекомбинации доминируют над процессами накопления неравновесного заряда в p— и n-областях структуры. Начиная со значения прямого напряжения 0.5 В, когда диод начинает «приоткрываться», процессы рекомбинации уже не состоянии нейтрализовать накопленный заряд, поэтому начинает проявлять себя диффузионная емкость диода.

Лабораторное задание №2

……………………

Ответы на контрольные вопросы

1.Чем определяется постоянная времени диода? Она определяется временем пролета неосновных носителей заряда через базу диода.

2.…………………………………………………………..

156

ПРИЛОЖЕНИЕ 4 – СООТВЕТСТВИЕ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ НЕКОТОРЫХ ЭРЭ В РОССИИ И ЗА РУБЕЖОМ

Таблица

Обозначения, принятые в

Обозначения, принятые в Mi-

ЕСКД

croCAP

Название ЭРЭ

Символ по-

Условное

Символ по-

Условное

зиционного

графическое

зиционного

графическое

обозначения

обозначение

обозначения

обозначение

Общий провод-

ник

Резистор посто-

R

R

янный

Резистор пере-

R

R

менный

Конденсатор по-

C

C

стоянный

Конденсатор по-

стоянный поля-

C

C

ризованный

Катушка индук-

L

L

тивности

Диод выпрями-

VD

D

тельный

Стабилитрон

VD

D

Биполярный

VT

Q

транзистор npn

Биполярный

VT

Q

транзистор pnp

Полевой транзи-

стор с pn пере-

VT

J

ходом и n

каналом

157

Продолжение таблицы

Обозначения, принятые в

Обозначения, принятые в

ЕСКД

MicroCAP

Название ЭРЭ

Символ по-

Условное

Символ по-

Условное

зиционного

графическое

зиционного

графическое

обозначения

обозначение

обозначения

обозначение

Полевой транзи-

стор с pn пере-

VT

J

ходом и p

каналом

МДП-транзистор

с встроенным n

VT

M

каналом

МДП-транзистор

с встроенным p

VT

M

каналом

МДП-транзистор

с индуцирован-

VT

M

ным n-каналом

МДП-транзистор

с индуцирован-

VT

M

ным p-каналом

Линия задержки

Т

Т

Элемент питания

GB

V

158

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 – НЕКОТОРЫЕ СООБЩЕНИЯ ОБ ОШИБКАХ, ВЫДАВАЕМЫЕ ПРОГРАММОЙ MICROCAP 7

В этом Приложении приведены некоторые сообщения об ошибках, возникающие при моделировании в программе MicroCAP 7, а также их краткое толкование. Список сообщений об ошибках упорядочен по алфавиту.

1.Can’t find label in V(…). Не найдена метка в символическом выражении V(…).

Ошибка возникает из-за несоответствия позиционного обозначения ЭРЭ на схеме и позиционного обозначения в символическом выражении, когда оно записывается в таблице диалоговых окон DC Analysis Limits, AC Analysis Limits или Transient Analysis Limits.

Ошибка может также возникнуть, если в символическом выражении содержится указание на несуществующую на схеме контрольную точку.

2.Expecting ‘…’ Parameter: … Text: … Ожидается ‘…’ в параметре

в тексте….

Сообщение возникает, когда в математической модели ЭРЭ формата SPICE содержится недопустимый символ или синтаксическая ошибка. При этом вместо символов «многоточие» будут присутствовать ожидаемый символ, название параметра и начальный фрагмент описания математической модели. Следует перейти к файлу библиотеки математических моделей и исправить указанную ошибку.

3.Failed to converge in specified number of iterations in time=0. Пре-

кращение сходимости за указанное число итераций в нулевой момент времени.

Ошибка, возникающая при работе вычислительных алгоритмов программы MicroCAP. Возможных причин может быть несколько: неправильно изображенная схема, неверно заданные номиналы, неверно заданные параметры моделирования в диалоговых окнах DC Analysis Limits, AC Analysis Limits или Transient Analysis Limits.

4.Floating point ‘overflow’. Переполнение разрядов в ячейках оперативной памяти при работе с числами с плавающей запятой.

Ошибка возникает в случае, когда в схеме встречаются (намеренно или случайно) бесконечно малые или бесконечно большие числовые значения. Часто причина ошибки заключается в неправильном использовании стандартных суффиксов MicroCAP для обозначения кратных и дольных единиц.

5.Illegal character in label ‘…’. Непредусмотренная буква в метке ‘…’.

Ошибка возникает, если в позиционных обозначениях ЭРЭ на схеме используются буквы русского алфавита.

6.Illegal temperature. Непредусмотренная температура.

Ошибка возникает при указании бесконечно малой (менее -273 С) или бесконечно большой температуры окружающей среды.

159

7. Illegal time range. Непредусмотренный временной диапазон.

Ошибка возникает при неправильном указании временного диапазона в диалоговом окне Transient Analysis Limits.

8.Inductor/voltage source loop found. Найдено короткое замыкание источника напряжения или катушки индуктивности.

Ошибка возникает, когда на схеме какой-либо проводник шунтирует источник напряжения или катушку индуктивности.

9.Matrix singular. Единичная матрица.

Ошибка возникает, когда при расчете по постоянному току в вычислительном алгоритме Ньютона-Рафсона появляется единичная матрица. Такой результат следствие неправильно заданных номиналов ЭРЭ или неправильно изображенной электрической схемы.

10. Missing model statement ‘…’. Отсутствующее наименование математической модели.

Ошибка возникает либо при ошибочном написании имени математической модели, либо при отсутствии таковой в библиотеки математических моделей.

11. Need at least two values for ‘SIN’. Нужно по крайней мере два зна-

чения для задания синусоидального сигнала.

Обычно ошибка возникает при отсутствии параметров синусоидального источника напряжения или тока при попытке провести моделирования во временной области. Подобное сообщение может появляться при отсутствии параметров у других источников сигнала (импульсных, экспоненциальных, кусочно-линейных и т.д.).

12. No Model Name Given. Математической модели ЭРЭ не дано наименование.

Ошибка, характерная при размещении на поле чертежа многопараметрических ЭРЭ, описание которых содержится в математических моделях.

13. Node … has no DC path to ground. Узел не имеет соединения по постоянному току с общим проводником.

Ошибка возникает при неправильном соединении проводниками ЭРЭ. Возможны следующие случаи: разрыв проводника в электрической цепи, наличие на схеме несоединенных выводов ЭРЭ, параллельнопоследовательное соединение подряд нескольких емкостей (приводит к появлению электрического узла без гальванической связи с остальной схемой).

14. Source not found. Источник не найден.

Ошибка возникает при указании в диалоговых окнах DC Analysis Limits, AC Analysis Limits или Transient Analysis Limits на несуществующий источник напряжения или тока.

15. The AC signal magnitudes of all sources in this circuit are zero. Ам-

плитуды переменного сигнала всех источников в этой схеме равны нулю.

Обычно ошибка возникает, если не указана амплитуда переменного сигнала в источнике напряжения или тока при попытке провести моделирование в частотной области.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #

  • #13

bricolo, c’est pour quel soft que tu cherchais cette lib de 2SK216 ?

je cherche le 2SJ79 et 2SK216 pour B2 SPICE

MERCI

  • #15

y a plusieur model donné ici …. tu as utilisé le quel ?

  • #17

Bricolo

Send me an email and I will foward my library of voltage regulator models which includes models for the LM317 from Nat Semi, Motorola and TI. I use these in SIMetrix Intro which requires Spice 2 or PSpice format so you may have more luck with getting them to work.

Geoff

  • #19

Bricolo

As I said, email me if you want the three LM317 models (plus others).

Have you searched for the TL431 model? It is/was available at TI’s website:

*****************************************************************************
* TL431 MACROMODEL ***************3-26-92************************************
* REV N/A ****************************************************************DBB
*****************************************************************************
* REFERENCE
* | ANODE
* | | CATHODE
* | | |
.SUBCKT TL431 1 2 3
V1 6 7 DC 1.4V
I1 2 4 1E-3
R1 1 2 1.2E6
R2 4 2 RMOD 2.495E3
R3 5 7 .2
D1 3 6 DMOD1
D2 2 3 DMOD1
D3 2 7 DMOD2
E1 5 2 POLY(2) (4,2) (1,2) 0 710 -710
.MODEL RMOD RES (TC1=1.4E-5 TC2=-1E-6)
.MODEL DMOD1 D (RS=.3)
.MODEL DMOD2 D (RS=1E-6)
.ENDS

Geoff

SOO

1

26.02.2016, 20:58. Показов 6875. Ответов 3


Студворк — интернет-сервис помощи студентам

Доброго времени суток. Ситуация такая: решил я помучить MicroCap v10 с целью изучения схемотехники, нашел схему колебательного контура попроще(та которая — Классика жанра) http://rodyokot.ru/stort/analog/bugs/03/ собственно отрисовал ее в MicroCap, т.к. у меня значения C1=5u и L1=15u, то после рассчетов у меня получилась частота колебательного контура f=18386Гц => T=1/18386=54us, поэтому когда я захотел увидеть, что за колебания у меня получились я в Transient analaysus выставил значение 100u для времени просмотра, после чего получил то, что на картинке http://файлообменник.рф/vomt8alb3iqn.html.
Я не понимаю… я что то делаю не так, или просто у меня MC глюченый, или схема паленая, подскажите пожалуйста. Также прилагаю файл проекта http://файлообменник.рф/lkpheyi5h3lb.html.
P.S. сорри за ссылки, просто не получается загрузить на форум ни изображение, ни zip папку с проектом.

Programming

Эксперт

94731 / 64177 / 26122

Регистрация: 12.04.2006

Сообщений: 116,782

26.02.2016, 20:58

3

0 / 0 / 0

Регистрация: 07.02.2106

Сообщений: 3,113

26.02.2016, 21:34

2

Не выкладывайте картинки на порнообменники.

По схеме.
Все автогенераторы для симуляторов есть большая проблема. Если есть проблема, то подавайте на схему питание не от DC источника, а с импульсного (в начале 0V, затем Vdd).
Конкретно в этой схеме — конденсатор С3 может и сглаживает работу генератора, но симулятор не может вытянуть генерацию. Замените его на два, продублировав еще одним — с базы на Vdd, номинал такой-же. Либо убирайте конденсатор С3 и резистивный делитель и подавайте на базу импульсное напряжение 0-2В. Генератор без особого запаса по петлевому усилению, поэтому С1 (0-47p) не должен существенно превышать С2 (15p).



0



SOO

26.02.2016, 23:08

3

Попробывал сделать как вы написали, в случае с импульсным источником питания колебания идут, НО частота колебаний не совпадает с рассчитанными мягко говоря(T=1us получается при рассчитанной 56us) в случае если убираю C3 и делитель напряжения получается пила, НО амплитуда колебаний измеряется в фемто вольтах, что тоже не есть гуд.
В общем как я понял из вашего поста лучше выкинуть на помойку MicroCap и отлаживать генератор на предмет работоспособности сначала на звуковой частоте с динамиком в качестве нагрузки, а потом уже с рассчитанными значениями C и L использовать :/

0 / 0 / 0

Регистрация: 07.02.2106

Сообщений: 3,113

26.02.2016, 23:12

4

При С1=С2=15p и L=15u получается период 110ns. Симуляция была на транзисторе BC846B. (PSPICE)



0



У меня ошибка «matrix is signgular»

 

vnv: У меня ошибка «matrix is signgular»

то же самое
а вот в чём проблема ???
схема вродеж правильная, чтож ему не нравится ?

вот фиговенький перевод этой ошибки:
Это сообщение происходит когда цепь производит единственную матрицу. Наиболее общие причины особенностей структурные и вызваны напряжением циклов и пропуская пути, чтобы заземляться. Эти проверены на наличие отдельно прежде, чем анализ будет работать, так что если Вы получаете это сообщение, проблема лежит (лгать) в природе цепи. Особенности могут произойти из-за предела nonlinearities и прочная отрицательная обратная связь в цепи.

 

причём если убрать вторичку (L3 ) со всей обвязкой, то ошибки нет — на на графиках — полная фигня рисуется

 

вобщем я разочарован в этой программе — проще — макетку и паяльник в руки и в перёд — быстрее результат будет

 

С магнитопроводами в МС7, я разобраться толком не смог.
Так-как, схема по-сути блокинг генератор, то много зависит от сердечника.
Подбор витков (а в МС есть 2 модели индуктивностей с магнитопроводом, спайс и мс) позволил его «запустить».
Я в таких случаях ставлю в базу генератор, чтобы проверить.
Напишите частоту, поиграюсь…

 

Частоту не знаю, эта схема которую ВиНи приводил на http://pro-radio.ru/power/2601-5/
собрал её только что в живую — опять же — нифига
не запускается

 

intech: в схеме http://pro-radio.ru/user/uploads/49683.cir неправильно выбран транзистор MJE13003. В реальной схеме он сразу же после включения пробился бы, т. к. у него forward early voltage = 100V, а при напряжении питания 310 В напряжение самоиндукции развиваемое первичкой на коллекторе более 700 В. Подбери транз. с максимальным FEV не менее 1000 или измени этот параметр вручную и все пойдет.

 

lintech: — нифига , не запускается

Если используете MJE13003, то у него очень низкий коэффициент передачи. Имеет смысл сначала выставить резистором ток покоя в коллекторной цепи около 3…5 мА, а потом включить обмотку обратной связи. Возможно, придётся поменять местами выводы обмотки. Целесообразно сначала настроить без нагрузки. Схема без обмана, рабочая!

 

Setar: …неправильно выбран транзистор MJE13003. В реальной схеме он сразу же после включения пробился бы…

Не пробился бы…
При малых длительностях импульсов амплитуда на коллекторе порядка 350В.
А 13003 начинает «течь» только при более 400В, выдерживая 700В между базой и коллектором.

Кстати, что это за параметр такой:
«forward early voltage = 100V» ?

 

lintech: вот собрал схему — нифига не пойму в чём затык
Если максимальный шаг расчета поставить 1u — считается. И, вроде, работа на правду похоже (правда я ее в МС8 запускал)

vnv: У меня ошибка «matrix is signgular»
Сингулярная (вырожденная матрица) — это когда неизвестных больше чем уравнений. При анализе схем чаще всего возникает из-за наличия индуктивных «звезд» и емкостных «треугольников». По идее, при составлении матрицы для расчета эта ситуация должна автоматически разруливаться программой путем добавлением резисторов нулевого сопротивления, но бывают и сбои. Лечится искуственным навешиванием сопротивлений большой величины паралельно, либо малой — последовательно индуктивным элементам. Кстати, небольшие последовательные сопротивления не только увеличивают стабильность расчета (как правило), но и дают более реальные результаты снижая добротность контуров (реальные катушки ведь имеют конечное сопротивление)

lintech: вобщем я разочарован в этой программе — проще — макетку и паяльник в руки и в перёд — быстрее результат будет
Вопрос очень спорный. Моделирует она вполне… Единственно — задача моделирования нелинейных сердечников математически достаточно сложна, а генераторов на их основе — в особенности. Хотя я вполне успешно моделировал весьма корявые схемы на насыщающихся сердечниках. Правда, параметры моделей сердечников считал сам по справочным данным (петлям гистерезиса).

vnv: С магнитопроводами в МС7, я разобраться толком не смог.
Собственно, там особо сложного ничего нет — одна из модификаций модели Джилса-Аттертона.. Нюанса два — в модели часть параметров в системе СИ, а часть в СГС. Такой чехарды больше нигде не встречал. Но это проблема не Микрокапа, а модели вообще — в PSPICE и его производных — таже песня.
Второй нюанс — Разевиг в своей книжке описал не ту модель, что реально используется в MicroCAP-7, а модель PSPICE (они даже по числу параметров отличаются). Подробности — http://microcap-model.narod.ru/ST_01.htm
Описание модели есть в фирменном руководстве (на английском) или в описании МС7 (курс лекций Амелиной) — http://microcap-model.narod.ru/LecMC7.htm
Обращаю внимание, что модели магнитных сердечников в MC7 и MC8 различны. В MC8 использована более распространенная модель (таже, что и в PSPICE и всех программах этого семейства).

DWD: Кстати, что это за параметр такой:
«forward early voltage = 100V» ?

VAF — Напряжение Эрли в нормальном режиме. Напряжение Эрли — параметр транзистора, характеризующий величину эффекта Эрли (модуляции ширины базы). Более подробно — http://dvo.sut.ru/libr/eqp/i001eqp1/3-1.htm

Буду рад ответить на вопросы по Micro-CAP (уже лет пятнадцать его использую). Сюда захожу нечасто, так что можно стучаться в почту или на http://microcap-model.narod.ru

 

Понравилась статья? Поделить с друзьями:
  • Missing media for these clips premiere pro ошибка
  • Missing map disconnecting как исправить ошибку
  • Missing keyword oracle ошибка
  • Missing inserted latex ошибка
  • Missing from clause entry for table ошибка