С этой ошибкой сталкиваются обладатели Android-смартфонов. Так как, данная ОС весьма проблемная, некоторые ее компоненты постепенно выходят из строя, и пользователь замечает вначале некорректную загрузку виджетов, а потом они и вовсе пропадают. Когда попытки сбросить систему до настроек по умолчанию и очистить кэш не увенчаются успехом, принимается решение перепрошить смартфон. Но и это не удается, потому что при подключении загрузочного носителя и запуске специальной программы, вдруг выскакивает сообщение: «Error: NAND flash was not detected». Почему оно возникает и как с ним бороться, вы узнаете далее.
Решение проблемы NAND Flash was not detected.
Что такое «Error: NAND flash was not detected»
Флэш-память смартфонов и планшетов поделена на две части: для самой ОС и исполняемых файлов и для хранения данных (наверное, вы знаете, что такой же подход практикуется и создателями компьютерных операционных систем). Так вот, NAND – это как раз и есть накопительная память, и сообщение об ошибке гласит, что она не обнаружена, словно ее и нет. Конечно, все дальнейшие действия становятся невозможными, и прошивка аннулируется.
Причины ошибки
Причин этому может быть несколько:
- NAND-флэш повреждена – например, телефон падал, лежал на чем-то мокром, был обтянут пластиковым чехлом и подвергся воздействию конденсата и т.п.;
- некачественная прошивка (не хватает важных элементов);
- уже неактуальна версия утилиты, которой производится прошивка;
- смартфон защищен от попыток замены ПО.
Как исправить ошибку Error: NAND flash was not detected
Сначала нужно уточнить, в чем именно причина ошибки «NAND flash was not detected», чтобы решить, что делать. Припомните все «несчастные случаи», происходившие с вашим смартфоном: падения, удары, попадание осадков и т. п. Если что-то такое было, то, скорее всего, придется покупать новый гаджет или идти в сервисный центр. Попробуйте приобрести/скачать другую прошивку, может быть, причина в ее несовместимости с устройством или отсутствии нужных разделов в Scatter-файле. Прочитайте также требования к условиям прошивки: из некоторых смартфонов перед процедурой нужно вынимать батарейку.
Начиная с «Android» 5.1, смартфоны защищены функцией Factory reset protection, которая исключает любые программные изменения. Она задумана как средство защиты от воров, но может создать немало проблем пользователю, забывшему пароль от аккаунта «Гугл» и попытавшемуся решить вопрос с помощью перепрошивки. Загрузчик в таких аппаратах заблокирован, и даже неофициальное «пиратское» ПО не поможет – будет либо выскакивать окошко с уведомлением о том, что память не найдена, либо смартфон настойчиво потребует залогиниться. Если вы не помните свои данные, под которыми регистрировались в Google, то лучше не пробуйте перепрошивать – по крайней мере, самостоятельно.
Проверьте также работоспособность утилиты для прошивки: не устарела ли текущая версия, взаимодействует ли она со смартфонами определенной фирмы. При необходимости обновите ее до последней модификации. Можно также попробовать другие программы той же тематики – вероятно, они будут эффективнее. Их мини-рейтинг выглядит примерно так:
- SP FlashTool – примите во внимание, что для Windows и Linux существуют отдельные выпуски;
- Adb RUN – имеет довольно сложную структуру и не русифицирована: любая ошибка может превратить телефон в абсолютно нефункциональный предмет;
- BootLoader – для прошивки телефонов фирмы Sony и некоторых других понадобится дополнительное ПО — Adb Run;
- KDZ Updater;
- FastBoot;
- Odin;
- Sony PC Companion – только для фирменных смартфонов «Samsung».
Перед началом работы с любой из них прочтите инструкцию, чтобы знать, в какой последовательности выполнять все действия и не навредить смартфону. Никогда не прерывайте начавшийся процесс прошивки, иначе результат может быть непредсказуем.
В сегодняшней статье мы будем разбирать ошибку NAND Flash was not detected, которая является довольно серьезной проблемой для любого обладателя смартфона на базе операционной системы Android. Встретиться с этой ошибкой не так-то и просто: данное сообщение всплывает в процессе перепрошивки устройства, во время тестирования памяти.
Обычно, когда пользователи понимают, что их смартфон не может нормально загрузить операционную систему, то предпринимают попытку по его перепрошивки, а также выполняют проверку памяти(либо прибегают к проверке памяти после установки прошивки). Тут то они и сталкиваются с ошибкой NAND Flash was not detected.
В переводе на русский сообщение ошибки переводится как «NAND-флэш-пямять не была обнаружена». Причинами этой ошибки может быть следующее:
- физические повреждение NAND-памяти смартфона;
- неудачная попытка установки прошивки;
- устаревшее программное обеспечение для выполнения перепрошивки;
- на смартфоне выставлена защита от программных изменений.
Решение ошибки NAND-флэш-память не была обнаружена
Решений у данной проблемы не то чтобы много: проверка NAND-памяти, проверка устанавливаемой прошивки и смена утилиты для перепрошивки. Первое выполнить в домашних условиях практически невозможно, так что мы рекомендуем вам отправиться со своим смартфоном в ближайший сервисный центр и положиться на местных ребят. Возможно, вы недавно роняли смартфон, вследствие чего и была повреждена его память.
Тем не менее если память оказалась с полном порядке, то проблема вероятно заключается в установленной версии перепрошивки либо в программном обеспечении, которым вы пытаетесь ее установить. Попробуйте найти какую другую версию прошивки и установите ее. Помимо прочего, убедитесь, что вы следуете инструкции, прилагаемой к прошивке. Если и это не поможет, то воспользуйтесь иной программой для перепрошивки своего смартфона. Подойдет любая другая – воспользуйтесь поисковиком и советом от других пользователей. При нормально функционирующей памяти что-то из этого должно помочь вам избавиться от ошибки NAND Flash was not detected.
Некоторые из мобильных устройств на базе ОС Android могут перестать нормально функционировать. При включении телефона пользователь часто видит лишь одиночное мигание экрана, а попытки очистить кэш устройства (wipe cache) не дают нужного результата. При попытке же перепрошивки системы с помощью соответствующей флеш-утилиты тест памяти данной программы выдаёт сообщение «ERROR: NAND Flash was not detected». В этой статье я расскажу, что означает данное сообщение, каковы причины возникновения данной ошибки, и как её исправить.
Содержание
- Что такое ERROR: NAND Flash was not detected
- Причины ошибки NAND Flash was not detected
- Как исправить ошибку NAND Flash
- Заключение
Что такое ERROR: NAND Flash was not detected
Прежде всего, стоит определится с ответом на вопрос «nand flash что это».
Как известно (а может кто-то читает об этом впервые), ныне существуют два основных метода вида флеш-памяти – это NOR-флеш и NAND-флеш, различающиеся между собой методом соединения ячеек в массив и алгоритмами чтения-записи.
Если NOR-флеш работает с памятью небольших размеров, то NAND-флеш применяется там, где необходимы большие объёмы памяти (десятки и сотни гигабайт). В частности, память вида NAND-флеш широко применяется в современных мобильных устройствах (смартфонах и планшетах), позволяя быстро и эффективно решать различные цифровые задачи.
Соответственно, когда пользователь встречается с дисфункцией своего смартфона и пробует перепрошить своё устройство (т.е. установить на него другую программную оболочку) с помощью специализированных программ (обычно это какая-то из версий программы SP Flash Tool), то тест данной программы может выдать сообщение ERROR: NAND Flash was not detected, что в переводе означает «Ошибка. Память NAND Flash не обнаружена»
Причины ошибки NAND Flash was not detected
Причины данной ошибки могут быть следующими:
- Физический выход из строя памяти NAND Flash вашего смартфона (планшета);
- Некорректные версии файлов прошивки, которая устанавливается на ваш телефон;
- Устаревшая версия самой программы-прошивальщика SP Flash Tool.
После того, как мы определились с тем, что значит ERROR: NAND Flash was not detected и каковы причины данной дисфункции, перейдём к методам её решения.
Как исправить ошибку NAND Flash
Прежде всего, стоит определиться, подвергалось ли ваше устройство какому-либо физическому воздействию (например, не попадала ли в него вода). Если что-то такое, всё же, случалось (причём недавно), тогда есть большая вероятность того, что флеш-память вашего устройства повреждена, причём безвозвратно. В этом случае наиболее оптимальным выходом будет покупка нового устройства.
Если же ничего такого с вашим аппаратом не происходило, тогда попробуйте использовать другую версию прошивки для вашего аппарата. Обратите внимание на версию скаттер-файла (scatter), с ним часто наблюдаются проблемы, как и с несоответствующим данному аппарату preloader. Прошивку некоторых устройств (например, lenovо) необходимо осуществлять при изъятом из устройства аккумуляторе. 
Конкретную же прошивку для именно вашего аппарата вам придётся искать в сети самостоятельно.
Так же при ответе на вопрос «как избавиться от ERROR: NAND Flash was not detected» советую пользоваться только самой свежей версией программы , так как ряд возникающих при прошивке ошибок может быть вызвано устаревшей версией упомянутой утилиты (прецеденты уже были).
Заключение
При ответе на вопрос «ERROR: NAND Flash was not detected что значит» следует отметить, что наиболее частыми причинами появления данной ошибки являются физическое повреждение флеш-памяти вашего устройства, а также некорректные версии файлов прошивки, используемые для установки на телефон. Попробуйте поискать альтернативные версии прошивки, а также используйте самую свежую версию утилиты SP Flash Tool – это позволит вам эффективно пофиксить ошибку на вашем устройстве.
Предлагаю сегодня несколько углубиться в тему SSD накопителей, вернее, в работу NAND памяти как таковой. Не секрет, что в процессе ее функционирования возникают ошибки, которые необходимо предотвращать или корректировать таким образом, чтобы не нарушить целостность данных и обеспечить работоспособность устройства в целом. Давайте поговорим про ошибки NAND памяти и методы борьбы с ними, какие бывают, что является причиной возникновений, как с ними борется контроллер.
Классификация ошибок
Принято делить ошибки на два основных вида – постоянные (некорректируемые) и временные (корректируемые). К первым относится главным образом износ ячеек по причине исчерпания их ресурса. Серьезные производители часто указывают гарантированный ресурс накопителя, т. е. максимальный объем данных, который можно записать без возникновения ошибок.
Как часто бывает, эти значения чаще всего имеют мало общего с реальностью, и количество данных, которые действительно можно отправить на тот или иной SSD, существенно больше, чем нам гарантирует производитель. Узнать это можно, если провести тестирование интересующего накопителя. Процесс этот небыстрый, но результаты порой бывают интересными.
Так, на момент написания этой статьи у меня тестируются два накопителя – Crucial BX500 с памятью TLC и A-data SU635, в котором установлены чипы NAND типа QLC, способные хранить 4 бита в одной ячейке.
Но вернемся к сегодняшней теме. Второй класс ошибок (временные) можно подразделить на несколько типов, с которыми предлагаю познакомиться немного подробнее.
Read Disturb Error – ошибки чтения
Как следует из названия, эти ошибки никак не связаны с циклами записи/стирания (P/E) ячеек, а причиной возникновения является операция чтения. Почему? Давайте разберемся.
Кратко напомню, что представляет собой NAND память. В качестве запоминающего элемента ячейки используется транзистор. На данный момент применяется технология изготовления транзисторов с плавающим затвором, который (собственно затвор), и является хранителем заряда, величина коего позволяет определить, какая комбинация бит хранится в ячейке.
Особенностью именно NAND памяти, в отличие от NOR, является организация поблочного доступа к данным, т. е. оперировать отдельными битами/байтами нельзя, можно только считать сразу целый блок данных, произвести там изменения (если требуется) и вернуть этот блок обратно на накопитель.
Для того чтобы определить, какое значение хранится в ячейке, надо измерить уровень заряда, хранящийся в ней. Это пороговое значение напряжения позволит идентифицировать комбинацию бит, которая тут записана. Чтобы выполнить это, на затвор транзистора подается референсное напряжение, что затем позволит измерить пороговое напряжение ячейки.
Напряжение считывания (VREAD) изначально выше максимально возможного порогового напряжения, но оно гораздо ниже напряжения, которое необходимо для перепрограммирования ячейки или ее стирания. Казалось бы, в чем может быть проблема?
А проблема в организации NAND памяти. Т. к. мы оперируем не отдельными битами, а блоками данных, то и считывающее напряжение подается на весь блок, из которого потом другим сигналом выбирается нужная нам страница данных. Что при этом происходит?
После считывания нужной порции данных сигнал чтения снимается, и… ничего не происходит? Почти. Проблема в том, что референсное (опорное) напряжение пусть немного, но влияет на ячейки данных, из которых не производилась выборка, но которые «попали под раздачу» по причине того, что находились в том же блоке, что и интересовавшая нас страница. Уровень порогового напряжения изменяется, пусть и на мизерную величину.
Это проблема? После одного чтения нет, и после десяти тоже, и даже после тысячи скорее всего нет. Но все же изменение напряжения в неактивных ячейках неуклонно повышается. Следует отметить, что речь именно о неактивных ячейках на тех страницах, на которые подано опорное напряжение, а чтение из них не производится.
Можно найти результаты исследований, в которых приводится такая цифра – происходит искажение одного бита на каждые 105-106 чтений страницы для NAND памяти типа MLC, изготовленной с использованием 16-нм техпроцесса. Следует помнить, что увеличение разрядности ячеек (TLC, QLC) и дальнейшее утончение техпроцесса увеличивают частоту возникновения Read Disturb Error. Оказывает свое влияние и постепенный износ ячеек.
Кстати, на использовании этого эффекта нежелательного изменения значений в ячейках основана хакерская атака на накопитель, цель которой – заставить его выполнять большое количество операций чтения из одних и тех же блоков данных. Это может привести к искажению информации в блоке именно из-за возникновения ошибки Read Disturb.
Как защититься
Как избавиться от ошибки? Есть как минимум два способа. Первый – ошибка будет исправлена «на лету» при помощи используемых алгоритмов коррекции ошибок ECC. Второй — переписать данные, в которых обнаружена ошибка, в другой блок, а исходный очистить и приготовить к повторному использованию. По сути, выполнить операцию «уборка мусора» в сочетании с механизмом выравнивания износа.
Правда, тут есть своя тонкость. Ресурс ячеек отнюдь не бесконечен. Мало того, довольно скромен. Для NAND TLC принято считать, что нормальное значение — 3 000 циклов записи/стирания, для QLC это значение вообще находится на уровне 1 000. Поэтому часто гонять данные туда-сюда не получится, ибо ячейки будут активно изнашиваться.
В то же время и с ошибками Read Disturb мириться нельзя. Часто контроллеры имеют некое заранее заданное количество операций чтения из одного и того же блока, по достижении которого весь блок принудительно переписывается на новое место с последующей очисткой ранее использовавшегося блока данных. В сочетании с системой коррекции ошибок это позволяет избавиться от возникшей ошибки, и обеспечить равномерное расходование ресурса ячеек NAND.
Program Disturb Error – ошибка при программировании ячейки
Следующая ошибка, которая поддается исправлению — Program Disturb Error, т. е. ошибка, возникающая при программировании ячейки. Выше было упомянуто, что для записи/стирания используется напряжение, заметно большее, чем при чтении. И опять суть проблемы в чем-то схожа с рассмотренной выше.
Отличие лишь в том, что при обновлении информации в ячейке NAND повышенное напряжение за счет имеющихся паразитных емкостных связей между элементами воздействует и на соседние ячейки, что опять-таки может привести к изменению порогового напряжения в них и, как следствие, несанкционированному изменению хранящейся информации.
В данном случае такому нежелательному воздействию подвержены как ячейки из блоков, которые не участвуют в перепрограммировании, так и ячейки, которые располагаются в блоке, выбранном для изменения.
Этот эффект проявляется тем сильнее, чем тоньше техпроцесс, который использовался для изготовления NAND.
Как защититься
Панацеей от этого типа ошибок вновь выступает перенос блока, в котором содержатся поврежденные, но поддающиеся исправлению данные, в другой блок.
Over-Programming Error – ошибка перепрограммирования
Еще один тип корректируемой ошибки – перепрограммирование. Такая ситуация может возникнуть в случае, если при программировании страниц пороговое напряжение в ячейках соседних, находящихся в том же блоке, но не участвующих в операции изменения страниц становится слишком высоким, не соответствующим исходным заданным значениям и не позволяющим провести операцию чтения.
Чаще всего это случается с ячейками, в которых по тем или иным причинам после операции стирания в плавающем затворе транзистора сохраняется слишком высокое исходное напряжение. Такое нередко случается с ячейками, ресурс которых уже почти выработан.
Как защититься
На помощь вновь приходит механизм переноса блока данных в новое место, благо ошибка поддается корректировке силами контроллера.
Retention Error – ошибка удержания заряда
Хранящиеся в накопителе данные склонны к повреждению с течением времени. Связано это с падением уровня напряжения в ячейке, точнее, в плавающем затворе транзистора. Хотя он окружен изолирующим оксидным слоем, все же постепенная утечка электронов через этот слой имеет место.
Чем более изношена ячейка, тем активнее идет утечка заряда через изолирующий слой, который постепенно теряет свои физические свойства. Ускорить процесс искажения записанных в NAND память данных могут продолжительное нахождение ячеек в отключенном состоянии, повышенная температура, тип ячеек (MCL, TLC, QLC), использованный для производства чипа техпроцесс, толщина изолирующего оксидного слоя и т. п.
По поводу четырехбитовых ячеек должен сказать, что я провожу эксперимент с имеющимся у меня накопителем Crucial P1, в котором как раз QLC NAND. Он сейчас заполнен наполовину объема файлами, и теперь он просто лежит в коробочке, где проведет не менее полугода (как минимум до сентября этого года), что позволит проверить, случится ли что-то с информацией на накопителе, который длительное время не включался.
Способность держать заряд – одна из важных характеристик любого накопителя. Хотя предполагается, что большинство из них если и обесточивается, то на сравнительно короткое время (часы, максимум несколько дней), все же хочется быть уверенным в том, что спустя более продолжительный период все данные останутся целыми и невредимыми.
Как защититься
Универсальное решение для корректируемых ошибок – регулярная перезапись данных из одного блока в другой. Этой работой занимается контроллер, и он же следит за ресурсом ячеек.
Механизмы мониторинга и обработки ошибок NAND
Раз возможны ошибки, надо как-то следить за их возникновением и исправлять. Для этого используются несколько технологий и методов.
Error Correction Codes (ECC)
Технология выявления и исправления ошибок в устройствах памяти ECC применяется давно. Используется она, в частности, в модулях RAM, устанавливаемых в сервера, т. е. там, где требования к надежности работы и отсутствию ошибок очень жесткие.
Суть метода заключается в добавлении дополнительных бит к битам данных, что позволяет обнаруживать и корректировать ошибку. Так, к m-битам блока данных добавляется k-бит дополнительной информации, в результате чего блок данных становится равным m+k. Количество дополнительных бит зависит от используемого алгоритма ЕСС.
Такой алгоритм кодирует m+k таким образом, что из всех доступных комбинаций 2(m+k) только минимальное количество комбинаций соответствует корректным данным. Если изменится бит в данных, то это сразу станет видно, и ошибка может быть исправлена.
Количество дополнительных бит варьируется не только в зависимости от применяемого алгоритма ECC, но и от типа NAND памяти, используемой в накопителе. Так, для SLC требуется меньшего всего дополнительных бит, чем для TLC, и тем более для QLC. Количество также зависит от количества циклов P/E, т. к. ячейки постепенно изнашиваются и вероятность появления ошибки становится выше.
Производители запоминающих устройств, в частности, контроллеров для них, могут использовать различные алгоритмы ECC. Наиболее распространение получили алгоритмы на базе кода Хэмминга, кода Рида-Соломона, низкоплотностный код (Low Density Parity Codes — LDPC) и ряд других.
Например, код Хэмминга способен определять ошибки в двух битах и корректировать один бит, что делает его пригодным для использования с SLC NAND, где потребуется всего один дополнительный проверочный бит.
Wear Leveling – выравнивание износа ячеек
Операции записи в NAND память не проходя бесследно и являются основной причиной износа ячеек. Для того, чтоб максимально продлить жизнь памяти, используется механизм выравнивания износа. Его смысл в том, чтобы не допускать ситуации, когда в одних блоках NAND содержатся редко изменяемые данные, а в других блоках обновление информации происходит часто.
Wear Leveling и призвана обеспечить равномерное использование всего объема памяти. Контроллер следит за количеством циклов записи в ячейки и стремится, чтобы количество циклов записи/стирания (P/E) было примерно одинаковым у всех блоков. Различают два метода выравнивания износа:
- Динамический – для равномерного распределения циклов P/E используется весь доступный свободный объем накопителя, не затрагиваются «холодные» данные, т. е. те, которые не обновляются.
- Статический – выравнивание износа производится на всем объеме накопителя, включая неизменяемые данные.
Второй метод обеспечивает более равномерный износ и, как следствие, большую продолжительность жизни накопителя, но требует больших вычислительных ресурсов и затрачивает больше времени на манипулирование блоками данных внутри накопителя.
Bad-Block Management
Назначение этого механизма знакомо по обычным жестким дискам, где также ведется мониторинг состояния поверхности пластин и вышедшие из строя дорожки отправляются в «плохие» (Bad) и заменяются новыми из резервной области.
В SSD принцип действия тот же. Недопустима ситуация, когда целостность данных нарушается из-за того, что информация была записана в блок, который уже не в состоянии обеспечить полноценную работу. Для этого ведется мониторинг состояния блоков данных, и при получении ошибки, не позволяющей в дальнейшем использовать этот блок, он помечается плохим и прописывается в таблице плохих блоков.
Эта таблица присутствует всегда, т. к. уже на этапе производства или тестирования чипа могут появится плохие блоки. Причем, тестирование на заводе производится в более жестких условиях, чем при обычной работе. Вполне возможна ситуация, когда изначально помеченный как плохой, блок может вполне проходить проверки при повседневном использовании накопителя. Тем не менее, следует избегать использования таких блоков.
Прежде, чем записывать информацию в блок, необходимо проверить, что он отсутствует в таблице плохих блоков. Количество поврежденных блоков растет по мере использования накопителя из-за износа ячеек. Если в ответ на выполнение операции стирания или программирования страницы получено сообщение об ошибке, то блок должен быть помечен как плохой и занесен в соответствующую таблицу.
Выход из строя одной страницы блока не означает, что другие страницы также проблемные, но тем не менее, весь блок идет «в утиль». После занесения блока в таблицу плохих блоков он больше не используется.
Всем привет! Буквально на днях встретил своего давнишнего приятеля. Мы разговорились, и он, со словами «Смотри с каким телефоном я сейчас хожу!», продемонстрировал свою старенькую кнопочную Nokia (эх, вот это были телефоны — одна Nokia 3310 чего стоит!). Выяснилось, что на его iPhone стала постоянно «слетать» прошивка — пришлось отдать смартфон в сервисный центр.
Казалось бы, обычное дело…
Однако, для приятеля оказался необычным тот перечь работ, которые будет проводить сервис. Полная диагностика, обновление программного обеспечения (при необходимости) и другие «обычные штуки» — здесь все стандартно и понятно. Главный же вопрос вызвала вот такая фраза мастера — «скорей всего, надо перекатывать Nand Flash».
Далее с его слов:
Я, конечно, в сервисе не показал что не понимаю о чем речь — дескать и так все знаю без вас. Вы главное — делайте. Но пришел домой и сразу полез «гуглить» — а что это вообще такое, Nand Flash? И на фига его куда-то катать внутри iPhone?
Посмеялись с ним, разошлись, а я подумал — почему бы не написать коротенькую заметку на эту тему? Много времени это не займет, а людям, которые столкнулись с той же проблемой что и мой знакомый, станет чуточку понятней, что вообще происходит с их смартфоном. Подумал — сделал. Поехали!:)
Что такое Nand Flash в iPhone?
Это внутренняя память устройства. Да, да, то самое хранилище в котором постоянно исчезает место и которого очень часто не хватает владельцам iPhone на 16 GB.
Грубо говоря, Nand Flash в iPhone 7 32 GB это и есть те самые 32 GB внутренней памяти.
Расположена память на основной системной плате устройства и ни чем примечательным не выделяется — самый обычный чип.
Естественно, это никакая не флешка — нельзя разобрать iPhone, легко отсоединить Nand Flash, поставить другую и думать что все будет «ОК». Не будет. Хотя, стоит оговориться, что в некоторых случаях это все-таки возможно. Но об это чуть дальше. А пока переходим к неполадкам…
Причины неисправности
Вариантов не очень много, и все они, как правило «стандартные»:
- Падения устройства.
- Иные физические повреждения.
- Попадание жидкости.
- Брак.
- Джейлбрейк.
Здесь особо и расписывать нечего — понятное дело, что если устройство бросать и заливать водой, то это скажется на его работоспособности.
Хотя, отдельно все-таки отмечу такой пункт, как заводской брак — такое тоже очень даже возможно. Я был свидетелем подобной ситуации — iPhone только что куплен, а работать толком не работает — перезагружается, при восстановлении показывает ошибки и вообще ведет себя странно. Отдали в сервис, как итог — брак Nand Flash памяти и последующая замена устройства.
Симптомы неисправности Flash памяти iPhone
Каких-то четких и определенных симптомов у этой неисправности нет (на экране не выскакивает надпись — у вашего устройства проблемы с памятью), поэтому обо всем этом можно догадаться только по косвенным признакам:
- iPhone перезагружается при включении.
- Устройство «виснет на яблоке» во время загрузки.
- Постоянно «слетает» прошивка.
- При попытке восстановления iOS через iTunes появляются различные ошибки.
Кстати, об ошибках…
Ошибки iTunes, указывающие на неисправность Nand Flash
Восстановление прошивки через iTunes — самый верный способ борьбы с различными неполадками в работе устройства. Однако, если у iPhone существуют проблемы с Nand Flash памятью, то процесс восстановления может прерываться и сопровождаться следующими характерными ошибками:
- Error 21, 9, 2009, 4005, 14, 40, 4013 — все они могут говорить о неполадках с питанием памяти, замыканиях в цепях питания, а также различных проблемах с Nand.
- Из относительно «свежего», ошибка 0XE8000013 — указывает на неправильную прошивку микросхемы Flash памяти.
Но, важно помнить вот о чем — iTunes устроен таким образом, что одна и та же цифра ошибки может иметь несколько причин.
Например, ошибка 4013 может сигнализировать как о проблемах с самой микросхемой, так и о неоригинальности использования провода для подключения к ПК.
Как видите, разброс очень большой — от простого провода, до очень сложного ремонта. Поэтому, использовать этот перечень ошибок для предварительного анализа ситуации можно, а вот слепо доверять — нельзя.
Ремонт Nand Flash памяти — возможно ли это?
Возможно. Но, конечно же, не «в домашних условиях». Более того, далеко не все сервисные центры умеют проделывать эту операцию. Например, «в палатке на рынке» вам с большой долей вероятности помочь не смогут — там просто не будет необходимого оборудования. Да и навык, какой-никакой, должен быть.
В который раз отдельно замечу — если у вашего iPhone не закончился гарантийный срок (как это проверить?), то ничего выдумывать не нужно — сдайте его по гарантии. С большой долей вероятности вы получите взамен новое устройство.
Если с гарантией «пролет», а ремонт Nand Flash памяти все-таки необходим, то у сервисного центра есть два варианта исправления ситуации:
- Так называемая, «перекатка» (иногда еще называют «реболл») микросхемы памяти. Происходит отпайка чипа, зачистка его дорожек, и он припаивается обратно. То есть, если говорить грубо, процедура «вытащить-вставить»:)
- Полная замена Nand Flash. Отпаивается старая микросхема, а на ее место устанавливается новая. Казалось бы, так даже лучше — новая запчасть, все круто… Да. Но есть одно «но». Перед установкой нового чипа Nand его надо прошить. И здесь речь идет не об iTunes (тогда бы никаких проблем не было), а об использовании специального программатора и программного обеспечения.
Кстати, если говорить про оборудование для прошивки Nand Flash, то подобные программаторы достаточно разнообразны, но одна вещь их все-таки объединяет — цена. Все они стоят приличных денег — далеко не каждый может позволить себе такую штуку.
Какой вывод можно сделать из всего этого? Проблемы с памятью iPhone — это достаточно серьезная поломка, которую очень тяжело исправить самостоятельно. Но и безнадежной ситуацию назвать нельзя. Главное — найти хороший сервисный центр с грамотными специалистами и необходимым оборудованием. И тогда iPhone еще долго будет радовать вас своей работой!
P.S. Да уж, короткой заметки не получилось:) Впрочем, что есть, то есть — не удалять же теперь. Да и информация полезная — кому-нибудь да пригодится. Согласны? Ставьте «лайки», жмите на кнопки социальных сетей — поддержите автора! Он старался, честно. Спасибо!
P.S.S. Остались какие-то вопросы? Есть чем дополнить статью или хочется рассказать свою историю? Для этого существуют комментарии — пишите смело!
Дорогие друзья! Минутка полезной информации:
1. Вступайте в группу ВК — возможно, именно там вы сможете получить всю необходимую вам помощь!
2. Иногда я занимаюсь ерундой (запускаю стрим) — играю в игрушки в прямом эфире. Приходите, буду рад общению!
3. Вы всегда можете кинуть деньги в монитор (поддержать автора). Респект таким людям!
P.S. Моя самая искренняя благодарность (карта *9644, *4550, *0524, *9328, *1619, *6732, *6299, *4889, *1072, *9808, *7501, *6056, *7251, *4949, *6339, *6715, *4037, *2227, *8877, *7872, *5193, *0061, *7354, *6622, *9273, *5012, *1962, *1687 + перевод *8953, *2735, *2760 + без реквизитов (24.10.2021 в 18:34; 10.12.2021 в 00:31; 16.02.2023 в 10:32; 21.05.2023 в 16:56; 01.06.2023 в 02:08)) — очень приятно!