При запуске компьютера ошибка dram

инструкции

To Fix (DRAM error) error you need to follow the steps below:
Шаг 1:
Download (DRAM error) Repair Tool
Шаг 2:
Нажмите «Scan» кнопка
Шаг 3:
Нажмите ‘Исправь все‘ и вы сделали!
Совместимость: Windows 10, 8.1, 8, 7, Vista, XP Загрузить размер: 6MB Требования: Процессор 300 МГц, 256 MB Ram, 22 MB HDD Limitations: This download is a free evaluation version. Full repairs starting at $19.95.

Примечание:
Эта статья была обновлено на 2023-01-23 и ранее опубликованный под WIKI_Q210794

Ошибка или неточность, вызванная ошибкой, совершая просчеты о том, что вы делаете. Это состояние неправильного суждения или концепции в вашем поведении, которое позволяет совершать катастрофические события. В машинах ошибка — это способ измерения разницы между наблюдаемым значением или вычисленным значением события против его реального значения.

Это отклонение от правильности и точности. Когда возникают ошибки, машины терпят крах, компьютеры замораживаются и программное обеспечение перестает работать. Ошибки — это в основном непреднамеренные события. В большинстве случаев ошибки являются результатом плохого управления и подготовки.

Причины ошибки DRAM?

If you have received this error on your PC, it means that there was a malfunction in your system operation. Common reasons include incorrect or failed installation or uninstallation of software that may have left invalid entries in your Windows registry, consequences of a virus or malware attack, improper system shutdown due to a power failure or another factor, someone with little technical knowledge accidentally deleting a necessary system file or registry entry, as well as a number of other causes. The immediate cause of the «DRAM error» error is a failure to correctly run one of its normal operations by a system or application component.

More info on
DRAM error

РЕКОМЕНДУЕМЫЕ: Нажмите здесь, чтобы исправить ошибки Windows и оптимизировать производительность системы.

Месяцы и никогда не сталкивались с этой ошибкой. Вы пытались сбросить биос ?, я знаю, что я получил звуковой сигнал. Если у вас есть какая-то информация о конфигурации. Взгляните далее на руководство в звуковой сигнал с пустым экраном и последовательными звуковыми сигналами.

After looking in my manual it said that something may have come loose, so error the other day cause i set the memory timings wrong by accident
I have 2 memory sticks in dual-channel, so I took possible answers please tell me. More beeping, no I see is a blank screen and beeps.

Yesterday I booted my computer, only to be greeted each stick and tried both of them in each socket individually….

Я даже не могу получить доступ к BIOS, все, что я извлек из своей памяти и переустановил ее, а также мою видеокарту. У меня был компьютер для нескольких кодов, я обнаружил, что у меня была ошибка DRAM.
Обнаружение ошибки DRAM при запуске

---

Ошибка DRAM (непрерывный звуковой сигнал)

The only other thing that I could think the motherboard might be tech by any stretch. Well, right before I got to the Windows the nice «DDR dual channel enabled». first (read the manual wrong about running dual channel DDR). For DDR to work in dual channel they need to be running dual processors.

Turned it off and switched the be adjusted through the BIOS. I have two DDR-2100 256mb sticks and supposedly that error means the DRAM is not installed correctly. I placed them in slot 1 and 3 at «Memory not optimized» at start-up. Everything runs fine but I just have for 2-3 minutes, then does it again (keeps repeating).

Я только что обновил свою систему с новой материнской платой Gigabyte K8NS Ultra-939 и AMD Athlon 64 3000 +. Или d …

---

BIOS gives «DRAM Error» Beeps on startup

добавили ОЗУ в доступный слот, но он не запустится. У меня есть Gigabyte nForce3 mobo с процессором AMD Athlon 64. Как я могу получить полный 2GB

---

Det Dram

It seems i have reset clock and date every time…why is this Happening? to remove the battery everytime! So can»t change bios setting and have to

---

Нужна помощь в DRAM!

---

R-DRAM или DDR ??

---

Драхма

---

Скорость Драм

---

Красный свет vga n

I sent that back in and i changed reset cmos same thing. In the second build (when i got the new mobo) i didn’t bent pin not to bad i fixed it. Same problem, called the company again turned the pc on my cpu light came on. Https://www.dropbox.com/sc/ysnh5816arixlt8/AAB7YWCztBLCHit34HIrnml_a (link to view the dram light but the vga light and boot device light turns on red.

Так что я проверил это, и было что-то в этом деле, и у меня были только минимальные минимумы. Однако после этого они сказали, что это может быть mobo. Обновлен биос, появился свет на свет. Я, наконец, решил поразить ключ Mem, который хорошо отключает питание, но проблема все еще там.

---

Зачем синхронизировать DRAM?

I think you’ll find it’s faster…no(or fewer) wait states if sync’d with system clock..!!!

---

FSB: отношение DRAM, что это значит?

Отношение часов теперь 4: 6. Я сменил свою память на правильность настройки. Мой процессор FSB по-прежнему остается 266, однако в моей памяти работает DDR400, поскольку я модернизируюсь поэтапно. Мое соотношение, когда все компоненты моего компьютера работали на 133MHz (Bus266).

Раньше у меня было соотношение FSB: DRAM 1: 1 на 200MHz (DDR400) в двухканальном режиме. Итак, коэффициенты, любая помощь, пожалуйста!

---

драма слишком быстро

---

Проблема с DRAM?

либо на. У меня есть власть предотвратить это. Кроме того, при загрузке после отключения (питание отключено) это несколько вирусных программ, а также программ-шпионов.

Nothings показывает новую и настраиваемую сборку. Я перезагрузил windows completley, запустил XP и подключился к кабельному модему с помощью маршрутизатора. secs или less после его завершения, он автоматически перезагрузится.

Я думаю ….. Comp — это довольно проблема с моей DRAM? У меня есть брандмауэр, который приходит в Windows. Мне нужно отключить безопасный режим, чтобы исправить эту проблему.

It will allow you to try and shut it down but 2 HUH? will come up w/the error message «DRAM is wound too tightly». Please start the comp in no longer shuts down fully. We had a new ethernet (old one went bad)

С тех пор плата Comp и больше оперативной памяти установлены около 2 месяцев назад.

---

Вопросы FSB: DRAM

My FSB: DRAM is at you can get it to a 1:1 ratio. My computer is a dell and i know they can a 2:3 ratio right now. I’ve heard ram will perform better the closer be pains to oc, especially with it’s limited bios options. The FSB and memory bus frequency are linked,

i’m assuming it’s permanently stuck that way, damn dell.

---

Вопрос DRAM

Хм просто

---

Частота DRAM

---

DRAM памяти

---

Обновление DRAM

---

Драма привела на материнскую плату

Как исправить это, чтобы я мог загрузиться в BIOS
 

---

Часы DRAM

---

 Динамическая память любого типа, в отличие от статической, даже при подаче питающих напряжений не обладает способностью хранить свою информацию сколь угодно долго. Состояние элементарной ячейки динамической памяти определяется наличием или отсутствием заряда на конденсаторе, и этот заряд подвержен утечке. Поэтому для сохранения данных в динамической памяти ее ячейки необходимо периодически подзаряжать, что и составляет суть процесса регенерации. Как это происходит, чуть ниже.
При выполнении операции чтения регенерация выполняется автоматически. Полученные на усилителе сигнала данные тут же записываются обратно. Считается, что такой алгоритм позволяет уменьшить число требуемых регенераций и увеличить быстродействие. Но это совершенно не так! Считывается ли информация из памяти или нет, «частота» регенерации при этом не меняется. Она либо вообще не регулируется (нет соответствующих опций в «BIOS Setup»), либо является строго фиксированной после соответствующиих установок.

Возможны три различных метода регенерации данных.

Регенерация одним RAS (RAS Only Refresh — ROR). Этот метод использовался еще в первых микросхемах DRAM. Адрес регенерируемой строки передается на шину адреса и выдается сигнал RAS (точно так же, как при чтении или записи). При этом выбирается строка ячеек, и данные из них поступают на внутренние цепи микросхемы, после чего записываются обратно. Так как далее сигнал CAS не следует, цикл чтения/записи не начинается. Затем передается адрес следующей строки и так далее, пока не будет пройдена вся матрица памяти, после чего цикл регенерации повторяется. К недостаткам этого метода можно отнести то, что занимается шина адреса, и в момент регенерации блокируется доступ к другим подсистемам компьютера.
CAS перед RAS (CAS Before RAS — CBR) — стандартный метод регенерации. При нормальном цикле чтения/записи сигнал RAS всегда приходит первым, за ним следует CAS. Если же CAS приходит раньше RAS, то начинается специальный цикл регенерации — CBR. При этом адрес строки не передается, а микросхема использует свой внутренний счетчик, содержимое которого увеличивается на 1 при каждом CBR-цикле (т.н. инкрементирование адреса строки). Этот режим позволяет регенерировать память, не занимая шину адреса, что, безусловно, более экономично.
Автоматическая регенерация памяти (Self Refresh — SR, или саморегенерация). Этот метод обычно используется в режиме энергосбережения, когда система переходит в состояние «сна» («suspend»), и тактовый генератор перестает работать. В таком состоянии обновление памяти по вышеописанным методам невозможно (попросту отсутствуют источники сигналов), и микросхема памяти выполняет регенерацию самостоятельно. В ней запускается свой собственный генератор, который тактирует внутренние цепи регенерации. Такая технология работы памяти была внедрена с появлением EDO DRAM. Необходимо отметить, что в режиме «сна» память потребляет очень малый ток.
В классической реализации PC AT запросы на регенерацию DRAM генерировал канал 1 системного таймера 8254. К его выходу подключен триггер, работающий в счетном режиме и меняющий свое состояние на противоположное при каждом запросе. Состояние этого триггера можно программно считывать через бит 4 порта 61h. Проверка Refresh Toggle заключалась в проверке того факта, что этот триггер переключается с заданной частотой. Но со временем стали применяться другие алгоритмы регенерации памяти (что и изложено выше), и несмотря на то, что Refresh Toggle сохраняется для совместимости, по нему уже нельзя проверить формирование запросов на регенерацию. Циклы регенерации выполняет входящий в состав чипсета контроллер регенерации, который для выполнения своей задачи должен получать управление магистралью каждые 15,6 мкс. Во время цикла регенерации производится чтение одной из N ячеек памяти.

Burst Refresh

— (пакетная регенерация). Как правило, трактовка этой опции в литературе носит ошибочный характер. При разрешении опции («Enabled») в единый пакет собираются запросы на регенерацию, причем такое пакетирование может в некоторых случаях обеспечивать аккумулирование запросов по всему объему строк в памяти. Такой метод ведет к значительному повышению производительности, но есть и обратная сторона. На достаточно длительные промежутки времени и постоянно происходит захват шины памяти, что приводит к блокировке доступа к ней процессора или других устройств.
Опция может называться «DRAM Burst Refresh».

CAS Before RAS Refresh

— метод регенерации памяти, когда сигнал CAS устанавливается раньше сигнала RAS. В отличие от стандартного способа регенерации, этот метод не требует перебора адресов строк извне микросхем памяти — используется внутренний счетчик адресов. Однако, этот способ регенерации должен поддерживаться микросхемами памяти. Если раньше можно было встретить фразы, что большинство модулей памяти поддерживает такой метод регенерации, то сейчас это уже стандартное аппаратное решение. Использование этого метода позволяет заметно снизить потребляемую модулями памяти энергию. Может принимать значения:
«Enabled» — разрешено,
«Disabled» — запрещено.
Опция может называться «CAS Before RAS».

CAS-to-RAS Refresh Delay

— действие этой опции возможно при включенном состоянии предыдущей (или аналогичной), так как в данном случае устанавливается время задержки между стробирующими сигналами (в тактах системной шины). Естественно, что установка меньшего значения приводит к снижению времени, затрачиваемого на регенерацию. Большее же значение повышает надежность, т.е. достоверность данных, находящихся в памяти. Оптимальный вариант для данной системы выбирается опытным путем. Может принимать значения: «1T», «2T» (по умолчанию).

Concurrent Refresh

— (паpаллельная, или конкурирующая pегенеpация). При активизации этой опции как аппаратные средства регенерации, так и центральный процессор получают одновpеменный доступ к памяти. При этом процессору не нужно будет ожидать, пока произойдет регенерация. При установке опции в «Disabled» пpоцессоp должен будет ждать, пока схема pегенеpации не закончит pаботу. Естественно, что включение опции повышает производительность системы.

Decoupled Refresh

— (раздельная регенерация). Поскольку ISA-шина имеет невысокую скорость работы, то включение этой опции («Enabled») позволит чипсету разделить регенерацию для основной памяти и ISA-шины. При этом процесс регенерации для ISA-шины может быть завершен во время выполнения процессором других инструкций. Использование этой опции заметно увеличивает производительность всей системы. Опция эта играла заметную роль во времена 486-х машин.
Но могла возникнуть и проблема, которая заключалась в том, что некоторые карты расширения (обычно, видеокарты) требовали к себе внимания процессора во время начального цикла регенерации шины. Естественно, что это могло привести к нежелательным сбойным ситуациям. Отключение опции могло потребоваться также, если при работе с графическими режимами высокого разрешения на экране монитора появлялись какие-то символы или «снег». При этом необходимо было отключать и такой метод работы с памятью, как «Memory Relocation» (см. выше). Сказанное выше было характерно, например, для видеокарт на чипе S3 801 (таких, как SPEA V7 Mirage), работающих совместно с некоторыми картами-контроллерами производства «Adaptec» с расширенной ROM-памятью, необходимой для обслуживания жестких дисков объемом свыше 1 ГБ.
Опция может называться «Decoupled Refresh Option».

Distributed Refresh

— (распределенная регенерация). Не совсем ясно, что «прячется» под этой опцией, хотя есть предположение, что это аналог «раздельной регенерации». В свое время данную опцию можно было встретить в системах на чипсетах от «VIA Technologies». Значения опции: «Disabled» и «Enabled».

DRAM Ahead Refresh

— опция, позволяющая включать («Enabled») режим «предвидения» для цикла регенерации. Суть этого «предвидения» станет более понятна из следующей опции, которая становится активной при включении разрешения.
x DRAM Ahead Refresh Timing
— данная же опция по сути позволяет «отодвинуть» начало цикла регенации на 10 или 40 системных тактов. Небольшое, но все же повышение производительности. Столь уникальные опции были реализованы в системах на наборе SIS540 и более пока нигде не встречались.

DRAM Burst at 4 Refresh

— эта опция также связана с пакетной регенерацией, но суть ее иная. Разрешение опции («Enabled») включает регенерацию по 4 строки в пакете. Такой метод заметно повышает производительность. При этом шина освобождается намного быстрее, чем в случае с опцией «Burst Refresh».

DRAM CAS# Precharge

— (время предварительного заряда CAS). Эта функция применяется при наличии в системе синхронной динамической памяти, и с ее помощью устанавливается (в тактах системной шины) время для формирования сигнала CAS (накопления заряда по CAS) до начала цикла регенерации памяти (см. ниже дополнительно «DRAM RAS# Precharge Time»). Уменьшение этого значения увеличивает быстродействие, но возможны проблемы со стабильностью системы, если в то же время установлены «пограничные» значения для RAS-строба. Если установлено слишком малое значение (время), также и регенерация может оказаться незавершенной, что в итоге приведет к потере данных, находящихся в памяти.
Опция может иметь наименования: «CAS# Precharge», «CAS# Precharge Time», «FPM CAS# Precharge», «FPM DRAM CAS Precharge», «EDO/FPM CAS Precharge Time», «EDO CAS# Precharge», «EDO DRAM CAS Precharge».
Большим разнообразием значений все перечисленные опции не отличаются. «1T», «2T» или такой ряд: «1T», «1T/2T», «2T». Некоторое разнообразие внесла опция «CAS Precharge Period»: «1T», «2T», «3T», «4T».

DRAM RAS Only Refresh

— включение/отключение метода обновления DRAM, альтернативного методу «CAS-before-RAS». Если BIOS содержит другие возможности по регенерации памяти, то эту опцию необходимо отключить. В противном случае придется использовать этот устаревший метод обновления памяти.

DRAM RAS# Precharge Time

— (время предварительного заряда RAS). Эта функция применяется при наличии в системе синхронной динамической памяти и она позволяет устанавливать время (в тактах системной шины) для формирования сигнала RAS (иногда говорят о накоплении заряда по RAS) до начала цикла регенерации памяти. Фактически, тем самым устанавливается минимальный интервал между двумя последовательными циклами чтения или записи. Уменьшение этого значения увеличивает быстродействие. Но если установлено недостаточное время, регенерация может быть некомплектной, что в итоге приведет к потере данных, находящихся в памяти. Естественно, что за повышением частоты, на которой работает память, следует и выбор большего значения, что важно при разгоне памяти. Возможные значения могут быть представлены в различном виде: в виде цифровых значений — «3», «4» и т.д.; с указанием системных тактов — «3 Clocks» или «1T». А обобщенный ряд значений имеет следующий вид: 0T, 1T, 2T, 3T, 4T, 5T, 6T, хотя в каждом конкретном варианте может быть представлено 2-4 значения.
Опция может иметь множество названий: «DRAM RAS# Precharge Period», «RAS# Precharge Time», «RAS Precharge Timing», «RAS# Precharge Period», «FPM DRAM RAS# Precharge», «FPM RAS Precharge», «RAS# Precharge», «DRAM RAS Precharge», «EDO RAS Precharge», «EDO RAS# Precharge Time», «EDO RAS Precharge Timing», «FPM/EDO RAS# Precharge Time», «EDO/FPM RAS Precharge Time».
Как видим, опция не потеряла своей актуальности с появлением EDO-памяти и, что интересно, затем также BEDO- и SDRAM- модулей, поскольку данный параметр является одной из важнейших характеристик чипов памяти: «BEDO RAS Precharge», «SDRAM RAS Precharge Time».
Правда, кроме привычных параметров типа «3T» или «2 Clks» (эти значения и характерны для SDRAM-модулей) в различных версиях BIOS стали «встречаться» новые виды значений, таких как: «Same as FPM» и «FPM-1T», «Fast» и «Normal», «Fast» и «Slow». Для последней пары параметров «Slow» (медленно) равносильно увеличению количества тактов, что повышает стабильность работы системы, поэтому значение «Fast» следует устанавливать в случае уверенности в качестве модулей памяти. Что же касательно первой пары, то для опций вида «FPM DRAM RAS# Precharge» ряд значений мог иметь вид: 2T, 3T, 4T, 5T, 6T, а отсюда и возможный результат для SDRAM-памяти, хотя совершенно не очевидный.
Вполне возможна и ситуация, когда версия BIOS предоставляет возможность установки каких-либо параметров для каждого банка памяти в отдельности. Поскольку речь идет о «предзаряде» для RAS#-строба, то опция (опции!) может называться «Bank 0&1 (2&3)(4&5): EDO/SDRAM Precharge» со значениями: «3T/2T», «4T/3T».
«AMI BIOS» для «своей» опции «SDRAM RAS# Precharge» предложил дополнительное значение «Auto». Правда, один из вариантов опции «SDRAM RAS Precharge» представил и значения «Disabled»/»Enabled». Запрещать опцию можно только в случае абсолютной уверенности в модулях памяти, иначе неприятностей не избежать. Раз коснулись возможности запрещать/разрешать механизм предзаряда, то нужно отметить и возможность включать («Enabled») оптимизацию предзаряда — «SDRAM: Optimal RAS# Prech.».
Для данной опции (опций!) необходимо отметить пару важных моментов. Нельзя путать данную опцию с опциями типа «Refresh RAS Active Time», которые отвечают за длительность сигнала RAS#. В нашем случае речь идет как бы о подготовительном процессе. И второе! Данную опцию совершенно правильно было бы разместить и в разделе, посвященном стандартной оптимизации памяти (см. ниже). Процедуры выставления сигнала RAS# и при регенерации, и при операциях чтения/записи идентичны.
В завершение вышесказанного опция «RAS# Precharge/Refresh» со значениями «3T/4T» и «4T/5T». Данной опцией устанавливаются одновременно и время подготовительной фазы, и общее время активности сигнала RAS# для цикла регенерации.

DRAM Refresh Method

— опция установки метода регенерации. Опция может называться также «Refresh Type», «DRAM Refresh Type», «DRAM Refresh Mode» или «Refresh Type Select». При любых вариациях опция, как правило, среди возможных параметров содержит только два параметра. Приводим весь возможный ряд: «CAS before RAS» (или «CAS-RAS»), «RAS only», «RAS# Before CAS#», «Normal», «Hidden».

DRAM Refresh Period

— установка периода (частоты повтора), требуемого для регенерации памяти, в соответствии со спецификацией модулей памяти. В новейших версиях BIOS такая опция может и не присутствовать, хотя ее наличие в современной системе по прежнему позволяет оптимизировать процесс регенерации. Ранее такая опция предлагала пользователю широкий простор для творчества: в зависимости от версии BIOS и его производителя, чипсета, модулей памяти. Опция могла также носить название «Refresh Cycle Time (us)», «DRAM Refresh Cycle Time», «Memory Refresh Rate», «DRAM Refresh Rate Select», «DRAM Refresh Rate»,»SDRAM Refresh Rate» или просто — «DRAM Refresh». Вот неполный перечень значений, с которыми мог встретиться пользователь:
«For 50 MHz Bus», «For 60 MHz Bus», «For 66 MHz Bus», «Disabled» (такой необычный вариант встретился в системе на i430FX),
«50/66 MHz», «60/60 MHz», «66/66 MHz»,
«15 us», «30 us», «60 us», «120 us»,
«Disabled» (или «No Refresh»), «15.6 us», «31.2 us», «62.4 us», «124.8 us», «249.6 us»,
«15.6 us», «31.2 us», «62.4 us», «125 us», «250 us»,
«15.6 us», «62.4 us», «124.8 us», «187.2 us»,
«1040 Clocks», «1300 Clocks»,
«15.6 us», «7.9 us», «FR 128 CLKs» (понятно, что речь идет о частоте — «frequency»),
«Disabled», «Normal»,
«Fast», «Slow»,
«Faster», «Slower»,
«Disabled» (устанавливаются стандартные 15,6 мкс), «Enabled» (соответствует удвоению частоты).
Остается отметить, что чем реже производится регенерация памяти, тем эффективнее работает система. Но если явно наблюдаются нарушения в работе системы, то частоту обновления необходимо повысить. Значение «Disabled», появляющееся в некоторых версиях, не должно использоваться. В противном случае следует ожидать потери информации в памяти. И наконец, если пользователь видит на экране перед собой целый ряд значений для выбора, то это может означать, что в состав чипсета входит специальный конфигурационный регистр, в котором три разряда (или менее) «отданы» под возможные комбинации устанавливаемой частоты.
Как дополнение к изложенному рассмотрим еще некоторые опции и чипсеты, для которых они были реализованы:
«DRAM Refresh Ratery Time» (SIS530) — «15.6 us», «7.8 us», «3.9 us»,
«Refresh Rate» (AMD751) — «20.4 us», «15.3 us», «10.2 us», «5.1 us».
Опция «Refresh Mode Select», несмотря на некоторое несоответствие в названии, предложила значения «7.8 ?sec», «15.6 ?sec», «64 ?sec», а опция «Refresh Interval» — «7.8 ?sec», «15.6 ?sec», «31.2 ?sec», «64 ?sec», «128 ?sec».
Вот тут и может возникнуть, с одной стороны, мнимое несоответствие, а с другой, некоторое непонимание сути представленных опций. Ведь в названиях опций упоминаются и «частота», и «период», и «интервал», и «время цикла». Поэтому требуется дополнительное разъяснение.
Понятно, что одновременно регенерировать всю динамическую память невозможно. Допустимо также говорить о построчной регенерации матрицы памяти (об этом см. выше). Тогда можно ввести сразу два понятия. Первое — временной интервал между регенерацией, например, соседних строк. Второе — время полного цикла регенерации, т.е. время, через которое необходимо будет снова регенерировать условную начальную строку. «Обычный» чип памяти содержит 4096 строк. Можно утверждать, что общее время цикла регенерации составляет 64 мсек (один из стандартов JEDEC). И тогда упомянутый интервал (период) регенерации составляет:
64000 : 4096 = 15.6 ?sec.
Это означает, что каждые 15,6 мкс контроллер памяти инициирует цикл регенерации отдельной строки памяти. И это значение характерно для тех же модулей DIMM емкостью 128 Mbit или меньше. Если же речь идет о модулях емкостью 256 Mbit и более, то количество строк составит 8192 и интервал регенерации 7.8 ?sec, обусловленный сохранением времени общего цикла в 64 мсек. Если же в системе используются модули различной емкости, то временная характеристика регенерации устанавливается по модулю большей емкости, т.е. с более высокой частотой.
Необходимо отметить, что применявшиеся ранее модули памяти во многих случаях позволяли удлинить цикл регенерации, т.е. увеличить ее интервал, тем самым несколько повышая производительность системы.
И, конечно же, картина была бы неполной, если бы мы не вспомнили о RAMBUS DRAM. Мы не будем детально останавливаться на архитектуре этого типа памяти, напомним только, что структура и организация банков памяти носит многоканальный характер. Причем каждый канал данных представляет собой шину шириной всего в один (!) байт. Но за счет высокопроизводительного конвейера, высокоскоростной внутренней магистрали, синхронизируемой собственным тактовым генератором, пропускная способность шины памяти уже доведена до 3,2 ГБ/сек. Ну а теперь опция — «RDRAM Refresh Rate, Channel N», и ее значения: «No refresh», «1.95 us», «3.9 us», «7.8 us».

DRAM Refresh Queue

— этот параметр во включенном состоянии допускает использование более эффективного метода обновления памяти. Дело в том, что чипсет способен формировать последовательность нескольких запросов обновления памяти, пока шина процессора не будет готова к выполнению следующей операции. Речь здесь идет об использовании режима конвейеризации запросов на регенерацию памяти. «Enabled» разрешает постановку в очередь, как правило, 4 запросов регенерации памяти. Установка в «Disabled» означает отключение конвейеризации, что естественно снижает эффективность и приводит к проведению всех циклов регенерации либо по приоритету запросов, либо в соответствии с методами, изложенными в других опциях.
Данный режим должен быть всегда включен. «Enabled» устанавливается и по умолчанию. Одно условие! Установленные модули памяти должны поддерживать это свойство, большинство современных типов памяти поддерживают этот метод. Более того! Использование столь эффективного метода регенерации зависит и от реализации чипсетом таких функций, и от версии BIOS. В таком явном, «пользовательском», виде такая опция повстречалась в «AMI BIOS».
Опция может называться также «DRAM Refresh Queing».

DRAM Refresh Queue Depth

— данная опция позволяет установить степень («глубину») конвейеризации, т.е. количество возможных ступенек конвейера. Чем выше это число, тем большее количество запросов на регенерацию в данное время находится в обработке. Возможные значения, что естественно зависит от указанных выше реализаций и возможностей, имеют вид:
«0» (равносильно «Disabled»), «4», «8», «12» (по умолчанию).
Опция может называться также «Refresh Queue Depth».

Extended Refresh

— (расширенная регенерация). Введение (в свое время) этой опции в BIOS предполагало использование специальных EDO-чипов. Регенерация содержимого ячеек EDO DRAM при этом стала производиться через 125 мкс, а не через каждые 15,6 мкс, как при стандартной регенерации. Это несколько повысило общее быстродействие памяти.

Fast DRAM Refresh

— (быстрая регенерация DRAM). Контроллер памяти предоставляет два режима регенерации памяти: стандартный (Normal) и скрытый (Hidden). В каждом из режимов CAS-строб выставляется перед RAS-сигналом, однако в режиме «Normal» для каждого строб-импульса выделяется дополнительный такт процессора. Это старый метод обновления памяти, и поэтому имеет смысл установить значение данного параметра в «Hidden», который обеспечивает и повышенное быстродействие, и большую эффективность (см. ниже), также и по причине того, что CAS-строб может и не выставляться — быть «скрытым».

Hidden Refresh

— (скpытая pегенеpация). Когда установлено значение «Disabled», память регенерируется по IBM AT методологии, используя циклы процессора для каждой регенерации. Когда опция «Hidden Refresh» установлена в «Enabled», контроллер памяти «ищет» наиболее удобный момент для регенерации, независимо от циклов CPU. При этом регенерация происходит одновременно с обычным обращением к памяти. Алгоритм регенерации памяти при этом многовариантен: разpешаются циклы pегенеpации в банках памяти, не используемых центральным процессором в данный момент, взамен или вместе с ноpмальными циклами регенерации, выполняемыми всякий pаз (каждые 15 мс) пpи опpеделенном пpеpывании (DRQ0), вызванном таймеpом и инициируемом схемой регенерации.
Для регенерации каждый pаз тpебуется до 4 мс. В течение этих 4 мс один цикл pегенеpации пpимеpно каждые 16 мкс pегенеpиpует по 256 стpок памяти (здесь и выше приведены характеристики для модулей памяти малой емкости). Каждый цикл pегенеpации занимает столько же или чуть меньше вpемени, чем один цикл чтения памяти, т.к. сигнал CAS для pегенеpации при этом не тpебуется.
«Hidden refresh» отличается максимальной скоростью и эффективностью, наименьшими нарушениями активности системы и наименьшими потерями производительности, также позволяя поддерживать состояние памяти во время нахождения системы в режиме «suspend». Этот режим более быстрый, чем «Burst Refresh». Но наличие в BIOS этой функции еще не означает ее реализации. После установки опции в «Enabled» стоит тщательно проверить работоспособность компьютера. Некотоpые модули памяти позволяют использовать «Hidden Refresh», некотоpые — нет. В большинстве случаев pекомендуется установить в «Enabled».

Hi-Speed Refresh

— с помощью этой опции чипсет быстрее проведет регенерацию основной памяти. Правда, эффект от этой установки значительно меньше, чем от включения «Slow Refresh». Последний режим регенерации предпочтительнее. К тому же эта функция поддерживается не всеми чипами памяти.

ISA Refresh

— опция разрешения/запрещения проведения регенерации памяти для ISA-шины. В таком виде эта опция уже не встречалась даже в последние годы существования ISA-шины.

ISA Refresh Period

— установка периодичности для регенерации ISA-шины. Возможный ряд значений: «15 us», «30 us», «60 us», «120 us».

ISA Refresh Type

— опция с установкой метода регенерации памяти для ISA-шины. Возможные значения параметра: «Normal» и «Hidden». Аналогичная опция с названием «ISA Bus Refresh Mode» могла предложить другие значения: «Slow» и «Fast».

PCI-to-DRAM RAS# Precharge

— тема «предзаряда» уже достаточно нами освоена, поэтому стоит лишь сказать кратко о назначении данной опции — установка времени «предзаряда» строба RAS# при циклах записи PCI-шины в основную динамическую память. Значения опции: «2T», «3T».

RAS Precharge @Access End

— когда выбрано «Enabled», RAS#-строб остается в активном состоянии в конце процесса «предзаряда». Если же установлено «Disabled», RAS# переводится в пассивное состояние (высокий уровень).

RAS Timeout

— когда установлено значение «Disabled», цикл регенерации динамической памяти производится в стандартном режиме, т.е. каждые 15,6 мкс. Дополнительный цикл регенерации памяти вставляется при выборе значения «Enabled».

Ref/Act Command Delay

— (установка задержки для цикла чтения/записи). Параметром выбирается время задержки между окончанием цикла регенерации и началом цикла чтения или записи. Опция может принимать значения: «5T», «6T» (по умолчанию), «7T», «8T».
Система на наборе SIS530 предложила опцию под названием «DRAM Refresh/Active Delay» с чуть более консервативными значениями: «9T», «8T», «7T», «6T». Более развитый чипсет (SIS540) представил уже две опции: «DRAM REF/ACT Delay» («10T», «9T») и «DRAM ACT/REF Delay» («10T», «9T», «8T»). Понятно, что последняя опция предназначена для выбора задержки для режима регенерации после окончания цикла чтения/записи. Меньшие значения, конечно, более предпочтительны. Данная опция уже не встречается в современных системах.

Refresh During PCI Cycles

— опция, разрешающая/запрещающая проведение регенерации памяти во время циклов чтения/записи на шине PCI. Может принимать значения:
«Enabled» — разрешено,
«Disabled» — запрещено.

Refresh RAS# Assertion

— (установка периода активности сигнала RAS). Этим параметром устанавливается длительность сигнала RAS (в тактах системной шины) для цикла регенерации. Меньшее значение увеличивает производительность системы. Но поскольку принимаемые значения определяются качеством памяти и чипсетом, то к их установке необходимо подходить осмотрительно. Может принимать значения: «4T» (или «4 Clks»), «5T» (или «5 Clks»). Могут быть и другие значения.
Опция может называться также «Refresh Assertion», «Refresh RAS Active Time» или «RAS Pulse Width Refresh».

Refresh Value

— данной опцией устанавливался множитель частоты регенерации. Меньшее значение увеличивало производительность системы за счет снижения частоты регенерации. Но при этом также оптимальный вариант мог быть достигнут только опытной проверкой. Значения опции могли быть выбраны из ряда: 1, 2, 4, 8, 16. Иногда можно было встретить и значение 0,5. Опция эта давно уже не встречается.
Опция может называться «Refresh Divider».

Refresh When CPU Hold

— довольно устаревшая опция, предлагавшая производить регенерацию («Enabled») или не делать этого («Disabled») во время пауз процессора.

SDRAM Idle Limit

— данная опция устанавливает количество «пустых» тактов ожидания перед перезарядкой SDRAM-модулей. Оптимальная установка позволяет улучшить производительность циклов чтения/записи путем настройки интервала времени, в течение которого банк памяти может оставаться «пустым» перед перезарядкой (recharging), т.е. перед перезаписью содержимого памяти обратно в ячейки. При этом данная установка не может функционировать как задержка цикла регенерации.
Уменьшение количества тактов с 8 (по умолчанию) до 0 означает, что банк SDRAM-памяти будет немедленно регенерироваться как только контроллер памяти выставит достоверный запрос. При увеличении «SDRAM Idle Limit» от 8 тактов и более перезарядка банка будет задержана на большее время, тем самым возрастет время «хранения» информации из памяти во внутренних цепях. Пришедшая в это время команда чтения/записи будет исполнена мгновенно. Тогда приходится признать, что эффективность памяти возрастет, когда банк более длительное время будет оставаться «пустым». Но всегда есть свое НО! Во внутренних цепях перезарядки не хранятся все строки банка памяти, а только регенерируемой строки. Поэтому пришедший запрос, например, на чтение некоторой строки наверняка не «попадет в точку», и системе придется ожидать завершения регенерации, особенно в случае завышенного значения параметра.
В основном приходится выбирать между значениями в пределах между 0 и 8-ю тактами, правда, насколько позволит это версия BIOS. Конечно, подобная настройка требует серьезной опытной проверки. Поэтому, если есть возможность управлять частотой регенерации, то данную опцию лучше заблокировать. Опытным специалистам можно порекомендовать «поиграть» с двумя характеристиками.
Опция может называться «DRAM Idle Timer». Указанные опции предложили два ряда значений:
«Disabled», «0 Cycle», «8 Cycles», «12 Cycles», «16 Cycles», «24 Cycles», «32 Cycles», «48 Cycles»,
«0 clocks», «2 clocks», «4 clocks», «8 clocks», «10 clocks», «12 clocks», «16 clocks», «32 clocks».
Подобные опции достаточно редки. Но вот система на достаточно современном чипсете AMD751 предложила сразу две:
«Idle Precharge Limit» с рядом «0 cycles», «8 cycles», «12 cycles», «16 cycles», «24 cycles», «32 cycles», «48 cycles» и «No idle precharge» и «Extra High Idle Limit» со значениями «Disabled»/»Enabled». Последняя опция разрешает или запрещает вставку дополнительного такта ожидания.

SDRAM Precharge Control

— (управление предварительным зарядом SDRAM). Данная опция определяет, чем управляется «предзаряд» SDRAM — центральным процессором или самой SDRAM-памятью. В некоторых версиях BIOS такая опция может называться (трактоваться) как «SDRAM Page Closing Policy» («метод закрытия страниц SDRAM» — см. дополнительно в следующем разделе). Если эта опция отключена («Disabled»), то все циклы процессора к SDRAM завершаются командой «All Banks Precharge Command» в интерфейсе SDRAM-памяти, что улучшает стабильность, но понижает производительность памяти. Если же эта опция включена («Enabled»), то предварительный заряд контролируется самими чипами памяти. Это уменьшает количество предзарядов SDRAM, значительно возрастает число циклов CPU-to-SDRAM до того момента, когда требуется регенерация памяти. Это однозначно ведет к повышению общей производительности системы, но может влиять на ее стабильность.

SDRAM Refresh

— опция выбора метода регенерации для SDRAM-памяти. Возможные варианты: «Serial» (последовательный перебор строк при регенерации) и «Simultaneous» (одновременная регенерация). При рассмотрении опции «Burst Refresh» уже отмечались недостатки пакетной регенерации, при которой в единый пакет собираются запросы на регенерацию. «Перезарядка» строк происходит мгновенно, но пока не завершится полная регенерация, доступ к шине памяти будет невозможен. Поэтому об оптимальной установке для конкретной системы можно будет говорить после экспериментальных тестов.
Данная опция была замечена в системах, построенных на чипсетах SIS620, SIS600 и некоторых других.

Self-Refresh

— опция включения режима «саморегенерации» основной памяти (если установлено «Enabled»). Этот режим подробно описан выше, в вводной статье.
Опция может называться также «EDO/FPM DRAM Self-Refresh».

Slow Refresh (1:4)

— (медленная pегенеpация). При включении этой опции («Enabled») схема регенерации будет в 4 раза реже регенерировать память (64 мкс против 16), чем в обычном pежиме. При такой установке пpоизводительность системы повышается благодаpя уменьшению конкуpенции между CPU и схемой pегенеpации, однако не все типы динамических ОЗУ могут поддеpживать такие циклы (в этом случае будет получено сообщение об ошибке четности или о сбое системы). Тогда необходимо установить значение «Disabled». Опция в свое время получила распространение с развитием такого типа ПК, как «laptop» (дорожный ПК), в качестве энергосберегающей функции. В современных системах эта опция встречается все реже.
В свое время считалось также, что применение «медленной регенерации» будет достаточно эффективным при использовании 16-битных ISA-карт расширения, работающих в режиме «bus master». Поскольку сама ISA-карта может быть инициатором запроса на регенерацию, то понятно, что «медленная регенерация» в меньшей степени бы нарушала передачу данных по DMA-каналам.
Опция может называться также «DRAM Slow Refresh», «Slow Refresh» или «Slow Refresh Enable».
Опция может называться и «Slow Memory Refresh Divider». Но этой опцией устанавливался делитель для медленной регенерации: 1, 4, 16 или даже 64. Устанавливать самые большие значения, т.е. в максимальной степени снижать частоту регенерации, позволяла только специальная память.

Staggered Refresh

— трудно переводимый тип регенерации, что-то наподобие «регенерации с перекатыванием». Но этим непонятным термином обозначают «шахматную» регенерацию. Как известно, регенерация выполняется на банках памяти последовательно, с последовательным перебором строк. Но при наличии нескольких банков памяти и включении данной опции банки памяти регенерируются одновременно, но со сдвигом по перебору строк.
Данный тип регенерации позволяет сгладить броски потребления модулями памяти, выравнивая токи в процессе различных переключений. Так как уменьшаются броски тока, то такая регенерация эффективна с точки зрения снижения помех.
С помощью этой несколько устаревшей опции есть возможность установки временного интервала между регенерируемыми строками, измеряемого в системных тактах (0T, 1T, 2T, 3T, 4T, 5T, 6T, 7T). Установка в «0» позволяет регенерировать все строки в банках одновременно. Но опция может предложить и обычный набор значений: «разрешить применение»/»отказать» («Enabled» и «Disabled»).
Опция может называться также «Refresh Stagger» или «DRAM Refresh Stagger By».

Ошибка Dram

Помощь в написании контрольных, курсовых и дипломных работ здесь.

Dram led не исправность оперативки
Собирал новый пк все установил,врубил без подключения монитора и прочей переферии,он заработал был.

В чём отличие DRAM от SDRAM?
Расшифровку я как-бы сам знаю. «Динамическая память» и «Синхронная динамическая память», а.

Recovering lost DRAM size
При загрузке компа в начале появляется надпись «Recovering lost DRAM size», три раза.

Не могу понять DRAM калькулятор
Помогите разобраться, правильно ли я заполнил DRAM калькулятор вот для этой планки памяти.

это настораживает.
сразу под подозрением либо мать либо проц

Дайте ссылки на теорию по DRAM
Интересует не обзор типов, а реализация на уровне схем с разбором физики. Без каких бы то ни было.

3356 mhz, FSB, DRAM, Clocks
У меня несколько вопросов. Подскажите, пожалуйста. Мой процессор: http://uaimage.com/im/6d5505cc.

Суб-тайминги DRAM Calculator for Ryzen
Смог Crucial 8 ГБ разогнать до 3400 с 1.35 напряжением и таймингами 18-19-19-18-38. Но вот у меня.

В CPU-Z показана низкая DRAM частота
В CPU Z обратил внимание на то, что у меня есть NB Frequency 3399 МГц и DRAM Frequency 800 МГц. Я.

Источник

Имя Дата Сообщение Читать обсуждение полностью:
Компьютер не включается (Recovering lost DRAM) Vane-Damme 25.09.2013 10:07 https://www.cyberforum.ru/post5097127.html

Recovering lost DRAM size
При загрузке компа в начале появляется надпись «Recovering lost DRAM size», три раза.

Компьютер не включается, горит dram led
Помогите, пожалуйста. 🙁 Собрал комп, включил, на экране ничего, на материнке горит dram led, юзал.

Зависает компьютер намертво! (Asus P5QC, QuadCore Intel Core 2 Quad Q9400, DRAM 3- 2 платы 2Гб, GeForce 9800GT)
Система Системная плата Asus P5QC ЦП QuadCore Intel Core 2 Quad Q9400, 2666 MHz (8 x 333) DRAM.

Компьютер включается и сразу выключается (и больше не включается)
Доброго времени суток, я знаю, что подобных тем на данном форуме полно, но прошу помочь мне, ибо я.

Компьютер включается, выключается, снова включается (цикл)
Всем привет! Сегодня столкнулся с такой проблемой: сидел играл в Dead space и тут начала тарахтеть.

Компьютер не включается или включается через время
Такая проблема: с недавнего времени компьютер по нажатию кнопки включения начал включатся через.

Загораются LED CPU; LED VGA; LED DRAM. потом тухнут и компьютер перезагружается
здравствуйте я решил собрать комп комплект такой Процессор: Intel Core i7-2600k 3.4ГГц.

При старте системника сообщение BIOS Auto-Recovering. ОС не грузиться
Привет всем. Я играл на компе и тут выскочила какая то ошибка и он перезагрузился. После чего.

Источник

Recovering lost dram size windows 10 что и постоянная перезагрузка

Профиль | Сайт | Отправить PM | Цитировать

Здравствуйте,
На днях купил новую материнскую плату Gigabyte GA-X58A-OC Intel X58/ICH10R/rev.1.0 Socket1366/PCI-E2/0x16/ATX 6 DDR3/HD Audio GbE LAN/2 SATA 6Gb/s/2 USB3.0
Собрал все, установил драйвер, но с первого же запуска началась такая проблема: во-первых сразу после селфчека внизу появляется надпись Detecting DRAM size, затем компьютер сам перезагружается и снова появляется эта надпись Detecting DRAM size, и так повторяется три раза. Только после третьей автоматической перезагрузки надпись не появляется и система загружается. Но в диспетчере задач показано, что используется только 2.25 GB оперативной памяти! А у меня в слотах стоит 18 GB, три по 2GB и три по 4GB, все DDR3, на предыдущей материнской плате исправно работали.
Ещё пара интересных симптомов: Если перевести компьютер в спящий режим, то экран потухнет, а вот работа не приостанавливается, кулеры гудят, лампочки светятся.. И сделать ничего нельзя, только принудительно выключать.. А если выключить компьютер, нажав «Shut down», то экран тухнет, появляется синий экран с кодом 0x00000050, ничего больше не происходит, комп сам не выключается.

Конфигурация компьютера:
Процессор: QuadCore Intel Core i7 960, 3333 MHz (25 x 133)
Материнская плата: Gigabyte GA-X58A-OC
Память: DDR3 6 модулей, 3 по 2 gb и 3 по 4 gb
HDD: два Seagate Baracuda по 1TB
Видеокарта: NVIDIA GeForce GTX 670
Блок питания: 750 Ватт
ОС: Microsoft Windows 7 Ultimate x64

Источник

Имя Дата Сообщение Читать обсуждение полностью:
Ошибка Dram Abaza023 20.04.2020 23:41 https://www.cyberforum.ru/post14453451.html

Dram led не исправность оперативки
Собирал новый пк все установил,врубил без подключения монитора и прочей переферии,он заработал был.

В чём отличие DRAM от SDRAM?
Расшифровку я как-бы сам знаю. «Динамическая память» и «Синхронная динамическая память», а.

Recovering lost DRAM size
При загрузке компа в начале появляется надпись «Recovering lost DRAM size», три раза.

Не могу понять DRAM калькулятор
Помогите разобраться, правильно ли я заполнил DRAM калькулятор вот для этой планки памяти.

Дайте ссылки на теорию по DRAM
Интересует не обзор типов, а реализация на уровне схем с разбором физики. Без каких бы то ни было.

3356 mhz, FSB, DRAM, Clocks
У меня несколько вопросов. Подскажите, пожалуйста. Мой процессор: http://uaimage.com/im/6d5505cc.

Суб-тайминги DRAM Calculator for Ryzen
Смог Crucial 8 ГБ разогнать до 3400 с 1.35 напряжением и таймингами 18-19-19-18-38. Но вот у меня.

В CPU-Z показана низкая DRAM частота
В CPU Z обратил внимание на то, что у меня есть NB Frequency 3399 МГц и DRAM Frequency 800 МГц. Я.

Источник

Перезагрузка компьютера во время загрузки

Операционная система.

Windows XP и Windows 7 установлены на разных физических жестких дисках

Информация об оборудовании.

Любая идея, что делает это и как исправить?

2 ответа 2

Жесткий диск с Windows XP и жесткий диск с Windows 7 нормально загружаются на другом компьютере, что указывает на аппаратную проблему как на возможную причину проблемы с перезагрузкой.

На вашем компьютере может быть сломана флешка. Когда компьютер загружается, он пытается обнаружить ОЗУ, а в случае сбоя он иногда перезагружается и снова пытается обнаружить все установленное ОЗУ. Если на вашем компьютере установлено более одного флэш-накопителя (например, 2 x 1 ГБ ОЗУ), попробуйте извлекать по одному флэш-памяти за раз, чтобы проверить, не вызывает ли одна из этих палочек повторную перезагрузку компьютера.

Если на вашем компьютере есть только одна палка ОЗУ, проверьте, не появляется ли сообщение об ошибке, указывающее на проблему с ОЗУ при загрузке компьютера. Например:

Кажется, что у вас есть проблемы с вашим реестром. Чтобы исправить проблему с реестром, вы должны сделать одну из двух вещей.

a) Загрузитесь в Windows и исправьте проблему вручную (очевидно, это невозможно сделать).

б) Использование инструментов восстановления диска Windows.

Предполагая, что у вас есть Windows 7 (которая является наиболее распространенной ОС Windows для решения этой проблемы), вот руководство по решению проблемы, ключевые компоненты которой перечислены ниже.

Если это не устраняет автоматически запуск, следуйте этим инструкциям.

Это должно починить ваш компьютер, и вы будете убирать все заново.

Источник

Всем привет, собрал новый комп. Материнская плата asus prime z690-a, оперативка ADATA XPG Lancer RGB [AX5U5200C3816G-DCLARWH]. Горит черный экран, даже до БИОСа не доходит, горит лампочка DRAM на мат.плате.

Что я пробовал делать: пробовал с одной плашкой, перепробовал все другие слоты, вынимал батарейку БИОСа и ждал несколько минут.

На сайте мат.платы написано, что данная оперативка совместима с платой.

Думаю сейчас оперативку в ДНС обратно отнести и потом взять Kingston Fury Renegade. У кого-нибудь есть еще советы, как можно пофиксить данную проблему?

Некоторые материнские платы поставляются со специальным набором светодиодов, которые указывают на аппаратные ошибки – такие, которые могут возникнуть, когда вы пытаетесь загрузить свою систему.

Что означает красный свет на материнской плате

Эти красные (или оранжевые) светодиоды на материнской плате указывают на то, что что-то пошло не так в процессе инициализации всех аппаратных компонентов, из которых состоит ваш компьютер. Эта фаза инициализации происходит сразу после включения компьютера и называется POST (тестирование при включении питания).

Эти индикаторы (также называемые индикаторами отладки) могут быть чрезвычайно полезными для выявления основной причины любой проблемы, с которой вы сталкиваетесь, особенно потому, что в большинстве случаев монитор не будет работать для отображения дополнительной информации.

Всякий раз, когда какой-либо из этих светодиодов продолжает гореть, вы получаете информацию о том, что что-то пошло не так.

Это может указывать на несколько проблем, начиная от ненадёжных соединений и заканчивая несовместимостью оборудования и дефектными компонентами, которые необходимо заменить.

Эта статья охватывает всё, что вам нужно знать, если вам когда-либо придётся иметь дело с этой надоедливой и самой изнурительной проблемой.

Светодиодные индикаторы и их значение

Большинство материнских плат в настоящее время имеют четыре светодиодных индикатора, каждый из которых имеет единственную цель: помочь сузить круг проблем, возникающих на этапе POST (самопроверка при включении питания).

Часто до того, как что- либо может отображаться на вашем мониторе.

Большинство индикаторов диагностики материнской платы состоят из 4 отдельных индикаторов: BOOT, CPU, VGA и DRAM.

Индикатор ошибок BOOT

Светодиод BOOT загорается, показывая состояние основного запоминающего устройства – того, на котором установлена операционная система. Если этот конкретный диод начинает мигать, виновником является жёсткий диск / твердотельный накопитель.

• Если вы только что собрали свой компьютер, этот диод может мигать, потому что операционная система ещё не установлена.
• В противном случае убедитесь, что загрузочный диск правильно подключен и установлен в качестве основного загрузочного диска в BIOS.
• Если BIOS не обнаруживает SSD, обязательно ознакомьтесь с нашим руководством.
• Если вы по-прежнему не можете загрузить систему, отключите все накопители, кроме загрузочного, и повторите попытку.
• Если проблема не устранена, либо загрузочный диск поврежден, либо полностью неисправен. Если он поврежден, вы можете попробовать переустановить выбранную операционную систему; в противном случае вам нужно будет полностью заменить его и начать этот процесс с нуля.
• Для жёстких дисков / твердотельных накопителей SATA: убедитесь, что кабели данных и питания подключены, а используемый порт SATA не отключен из-за разделения полосы пропускания (попробуйте другой порт SATA).
• Для твердотельных накопителей M.2: убедитесь, что материнская плата действительно поддерживает тип накопителя M.2 и протокол интерфейса (например, NVMe не поддерживается всеми слотами M.2, наборами микросхем и материнскими платами). Проверьте спецификацию и руководство вашей материнской платы.

Индикатор ошибок процессора

Этот диод укажет на любую проблему, связанную с центральным процессором, включая проблемы совместимости, устаревшую прошивку BIOS и многое другое.

• Проверьте QVL (список квалифицированных поставщиков) вашей материнской платы, чтобы убедиться, что процессор, на котором вы работаете, совместим.
• Возможно, вам потребуется обновить BIOS, если ваш процессор был изготовлен позже материнской платы.
• Неправильно установленный ЦП также может вызвать мигание этого диода; убедитесь, что ваш процессор и все необходимые кабели питания от блока питания (4-контактный, 8-контактный!) правильно подключены.
• В противном случае снимите кулер ЦП, извлеките ЦП из гнезда и проверьте наличие согнутых контактов (при условии, что они есть) или остатков термопасты в местах, где это не должно быть.
• Переустановите процессор, нанесите достаточное количество термопасты и переустановите радиатор.
• Если это не приводит к каким-либо изменениям, ЦП либо неисправен, либо исчерпал себя и, следовательно, требует замены.

Индикатор ошибок VGA

Светодиод VGA начнет мигать всякий раз, когда возникает проблема с графическим процессором. Это может произойти, если графическая карта не подключена должным образом (включая три кабеля питания от блока питания) или если сам графический процессор физически повреждён.

• Во-первых, убедитесь, что все 6-контактные и/или 8-контактные кабели питания PCIe надёжно закреплены как на графическом процессоре, так и на блоке питания.
• Убедитесь, что графический процессор установлен в соответствующий слот (PCIe x16). В качестве альтернативы вы можете попробовать вставить графический процессор в другой слот PCIe (при условии, что вы не используете материнскую плату ITX) на случай повреждения x16. Проверьте, нет ли каких-либо физических повреждений на слоте и самом графическом процессоре.
• Убедитесь, что задняя защёлка разъёма PCIe защелкнулась при установке графического процессора.
• Если ничего не работает, вы можете использовать iGPU вашего процессора (если он поставляется со встроенным графическим чипом). В противном случае вам придётся заменить видеокарту.
• Если возможно, попробуйте использовать графический процессор на компьютере друга, чтобы увидеть, работает ли он там. Или попробуйте другой графический процессор на своём ПК, чтобы посмотреть, решит ли это проблему. Таким образом, вы можете сузить круг «подозреваемых».
• Убедитесь, что монитор подключен к видеокарте (если у вас дискретный графический процессор) или к разъёму дисплея на материнской плате (если у вас iGPU).

Индикатор ошибок DRAM

Если индикатор DRAM начинает мигать во время загрузки, значит, что-то не так с модулями оперативной памяти.

• Если в вашей системе несколько планок RAM, проверьте, относятся ли они к одной и той же марке и частоте: смешивание модулей оперативной памяти может привести к множеству проблем.
• Затем убедитесь, что планки оперативной памяти установлены правильно и что оба зажима по бокам защёлкнулись.
• Если проблема не устранена, попробуйте загрузить систему только с одним модулем ОЗУ. Попробуйте каждый из ваших модулей оперативной памяти по одному, чтобы выяснить, не поврежден ли один из них. Убедитесь, что он установлен в правильный слот (обычно второй от процессора).
• Интересно, что согнутые контакты процессора также могут вызывать загорание светодиода DRAM, поэтому дважды проверьте контакты процессора и материнской платы на наличие повреждений.
• Наконец, убедитесь, что модули оперативной памяти, которые вы используете, перечислены в QVL вашей материнской платы (список квалифицированных поставщиков). Если это не так, модули оперативной памяти могут быть несовместимы с вашей материнской платой.

Другие аппаратные ошибки

Разряженная батарея CMOS

Разряженная батарея CMOS, хотя и не так часто, как некоторые другие проблемы, вполне может быть причиной горящего красного светодиода на материнской плате.

Хотя эту проблему можно решить, изменяя настройки BIOS каждый раз при отключении питания или сбрасывая их до значений по умолчанию, тем не менее лучше просто заменить батарею.

Большинство материнских плат имеют относительно недорогую батарею CMOS (CR2032), поэтому её замена не представляет большой проблемы.

Примечание. Расположение батареи CMOS зависит от форм-фактора материнской платы.

Чтобы решить эту проблему, сделайте следующее:

• Выключите систему и отсоедините все кабели питания.
• Выключите питание.
• Если у вас материнская плата ATX или mATX, просто нажмите на защелку/фиксатор и извлеките батарею CMOS. Вставьте новую батарею, вставив её в гнездо до щелчка замка.
• В случае большинства материнских плат ITX батарея CMOS покрыта пластиковой/чёрной лентой и подключается к материнской плате с помощью штекера. Отсоедините эту заглушку, чтобы извлечь батарею CMOS, и повторите вышеупомянутую процедуру.

Неисправный блок питания

Причиной проблемы вполне может быть неисправный блок питания.

Вы можете проверить свой блок питания, подключив его к другой системе. Замена любых кабелей (если у вас есть дополнительный в коробке, в которой он был), если это модульный блок питания, также может помочь.

Нестабильный разгон

Нестабильный разгон также может привести к тому, что светодиоды на материнской плате, особенно светодиод CPU, будут мигать и гореть постоянно. В этом случае сброс BIOS должен удалить все настройки разгона, и ПК должен загрузиться без проблем.

Как только ваш компьютер загрузится, уменьшите значения разгона и запустите несколько стресс-тестов, чтобы убедиться в стабильности разгона, если вы хотите вернуть его на место.

Часто задаваемые вопросы

Давайте рассмотрим несколько возможных вопросов, которые могут у вас возникнуть по этой теме:

Как начать устранение неполадок, если на плате только 1 светодиод?

Старые материнские платы могут иметь только один светодиод отладки. Вам нужно будет найти неисправный компонент методом проб и ошибок.

Начните с проверки безопасности всех соединений, а затем выполните все шаги, упомянутые выше.

Дважды проверьте, есть ли на вашей материнской плате светодиодные индикаторы кода ошибки, которые могут помочь сузить проблему.

Почему светодиод DRAM мигает после добавления ещё одной планки RAM?

Обязательно вставьте второй модуль ОЗУ в четвертый слот DIMM.

Чтобы ваша память работала в двухканальном режиме (старый и новый модуль должны быть совместимы).

Если они совместимы, но светодиод продолжает мигать, сбросьте напряжение и частоту DRAM и отключите профиль XMP в BIOS.